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半导体物理题库
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简介
半导体物理
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题目预览(可预览10题)
【单选题】
[1/41]对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
A.
与温度无关，与杂质浓度无关
B.
与温度有关，与杂质浓度有关
C.
与温度无关，与杂质浓度有关
D.
与温度有关，与杂质浓度无关
参考答案：
D
参考解析：
无
【单选题】
[2/41]对大注入下的直接复合，非子寿命与平衡载流子浓度（）
A.
无关；
B.
成正比；
C.
成反比；
D.
的平方成反比
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[3/41]如果温度升高，半导体中的电离杂质散射概率和晶格振动散射概率的变化分别是（）。
A.
变大，变大
B.
变小，变小
C.
变小，变大
D.
变大，变小
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[4/41]当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）
A.
1/n0
B.
1/△n
C.
1/p0
D.
1/△
参考答案：
C
参考解析：
无
【单选题】
[5/41]在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
A.
锗
B.
磷
C.
硼
D.
锡
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[6/41]半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
A.
复合机构
B.
散射机构
C.
禁带宽度
D.
晶体结构
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[7/41]简并半导体是指（）的半导体。
A.
（EC-EF.或（EF-EV）≤0
B.
（EC-EF.或（EF-EV）≥0
C.
能使用玻耳兹曼近似计算载流子浓度
D.
导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[8/41]对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（）靠近E i。
A.
Ec
B.
Ev
C.
Eg
D.
EF
参考答案：
D
参考解析：
无
【单选题】
[9/41]若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是（）
A.
本征半导体
B.
杂质半导体
C.
金属导体
D.
简并半导体
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[10/41]重空穴是指（）
A.
质量较大的原子组成的半导体中的空穴
B.
价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴
C.
价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴
D.
自旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴
参考答案：
C
参考解析：
无
