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集成电路制造工艺员（三级）题库
题数
215
考试分类
集成电路制造工艺员>集成电路制造工艺员（三级）
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简介
集成电路制造工艺员-集成电路制造工艺员（三级）
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章节目录
题目预览(可预览10题)
【多选题】
[1/215]光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。
A.
红外线辐射
B.
X射线照射
C.
加热
D.
紫外光辐射
E.
电子束扫描
参考答案：
C D
参考解析：
无
【多选题】
[2/215]从电极的结构看，溅射的方法包括（）。
A.
直流溅射
B.
交流溅射
C.
二级溅射
D.
三级溅射
E.
四级溅射
参考答案：
C D E
参考解析：
无
【多选题】
[3/215]干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
A.
生长的二氧化硅薄膜均匀性好
B.
生长的二氧化硅干燥
C.
生长的二氧化硅结构致密
D.
生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
E.
生长的二氧化硅掩蔽能力强
参考答案：
A B C D E
参考解析：
无
【单选题】
[4/215]下列关于曝光后烘烤的说法正确的是（）。
A.
烘烤的目的是除去光刻胶中的水分
B.
烘烤可以减轻曝光中的驻波效应
C.
烘烤的温度一般在300℃左右
D.
烘烤的时间越长越好
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[5/215]（）是以物理的方法来进行薄膜沉积的一种技术。
A.
LPCVD
B.
PECVD
C.
D
D.
PVD
参考答案：
D
参考解析：
无
【单选题】
[6/215]下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
A.
干氧氧化
B.
湿氧氧化
C.
水汽氧化
D.
与氧化方法无关
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[7/215]（）的气体源中一般包含H +，C +，B +，Cl +，O +等离子。
A.
Cl2
B.
l3
C.
2
D.
H2
参考答案：
B
参考解析：
无
【单选题】
[8/215]硅晶片上之所以可以产生薄膜，出始于布满在晶片表面的许多气体分子或其它粒子，它们主要是通过（）到达晶片表面的。
A.
粒子的扩散
B.
化学反应
C.
从气体源通过强迫性的对流传送
D.
被表面吸附
参考答案：
A
参考解析：
无
【单选题】
[9/215]通常热扩散分为两个大步骤，其中第一个步骤是（）。
A.
再分布
B.
等表面浓度扩散
C.
预淀积
D.
等总掺杂剂量扩散
参考答案：
C
参考解析：
无
【多选题】
[10/215]下列扩散杂质源中，（）不仅是硅常用的施主杂质，也是锗常用的施主杂质。
A.
硼
B.
锡
C.
锑
D.
磷
E.
砷
参考答案：
C D
参考解析：
无
