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模拟电子技术（中南大学）-2020春夏
题数
49
考试分类
智慧树
学校
中南大学
售价
¥5
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简介
这是一门有趣的课，看了你就知道了！
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章节目录
第一章测试第二章测试第三章测试第四章测试第五章测试第六章测试第七章测试模拟电子技术教程考试补考试卷题目预览(可预览10题)
【单选题】
在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（ ）。
A.
C、E、B
B.
C、B、E
C.
E、B、C
D.
E、C、B
参考答案：
C
参考解析：
欢迎编辑补充或参与题目讨论
【判断题】
稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。
A.
对
B.
错
参考答案：
B
参考解析：
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【单选题】
A.
4.3
B.
5.7
C.
73
D.
8.7
参考答案：
B
参考解析：
欢迎编辑补充或参与题目讨论
【单选题】
要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（ ）。
A.
发射结反偏，集电结正偏
B.
发射结正偏，集电结反偏
C.
发射结正偏，集电结正偏
D.
发射结反偏，集电结反偏
参考答案：
B
参考解析：
欢迎编辑补充或参与题目讨论
【单选题】
设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于 （ ）区。
A.
截止
B.
可变电阻
C.
放大
D.
击穿
参考答案：
A
参考解析：
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【单选题】
工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（ ）。
A.
50
B.
90
C.
83
D.
100
参考答案：
D
参考解析：
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【判断题】
BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。
A.
错
B.
对
参考答案：
A
参考解析：
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【判断题】
阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。
A.
对
B.
错
参考答案：
A
参考解析：
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【判断题】
耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（ ）
A.
对
B.
错
参考答案：
B
参考解析：
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