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> 加偏压
"加偏压"相关考试题目
1.
硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
2.
硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
3.
增强型场效应晶体管在栅极不加偏压时,沟道处于导通状态。
4.
半导体光器件加偏压的方法是( )。
5.
光伏探测器处于光电导工作模式,其外加偏压为( )。
6.
PN结的势垒电容是由于外加偏压下空间电荷区宽度变化引起的。( )
7.
给定磁场情况下,磁敏二极管两端正向偏压和通过它的电流的关系曲线。当所加偏压一定时,磁场按正方向增加时,二极管电阻增加,电流减小;反之电阻减小,电流()。
8.
2.为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变.
9.
光伏探测器处于光电导工作模式,其外加偏压为正向偏压。( )
10.
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子积累状态到多子耗尽状态的过渡状态是?
11.
在室温下,未加偏压之PN二极管在PN接面附近的状况为:()
12.
若光电检测器不加偏压、则会出现()弊病。
13.
变容二极管的()随外加偏压而变化,当反向偏压向负的方向增大时,变容二极管的()。
14.
若光电检测器不加偏压、则会出现()和()两大弊病。
15.
导出加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式、.
16.
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面从多子耗尽状态到少子反型状态的过渡状态是?
17.
用加偏压测量电容器时,先旋动“量程”开关,后旋动“量程选择”开关,然后再接通电源,测试完毕后,先断开电源,后关闭电桥。( )
18.
{ 变容二极管是利用PN结的_______随外加偏压而变化的特性制成的。
19.
未施加偏压时,pn中载流子的扩散运动和( )达到平衡。
20.
半导体探测器工作时为什么要加偏压?结电容与所加工作偏压有什么关系?
21.
在电离辐射的照射下SiO2层产生电子-空穴对,在外加偏压作用下 会向 偏移,而在SiO2层中留下 ,因此在 会形成电离陷阱()。
22.
n. 偏见;偏爱,爱好;倾向;斜纹; vt. 使倾向于;使有偏见;影响;加偏压于; adj. 斜纹的;斜的,倾斜的;斜裁的; adv. 偏斜地,倾斜地;对角地;
23.
若光电检测器不加偏压、则会出现()和()两大弊病。
24.
3.导出加偏压的PN结空间电荷区边缘非平衡少子浓度值公式、.
25.
若一长沟道NMOSFET,将其沟道长度缩小为原来的一半(不考虑短沟道效应),而其他尺寸,掺杂浓度,外加偏压均保持不变,则下列说法错误的是
26.
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面多子浓度比体内多子浓度高时,处于哪种状态?
27.
测量电解电容器需加偏压电源,在测量时,经外接插孔将()加到被测电容器上。
28.
为什么加偏压的肖特基势垒能带图中qb几乎不变.
29.
由于外加偏压的改变,pn结的空间电荷区宽度发生变化,该现象称为pn结的()。
30.
硅、锗PN结各一,其掺杂浓度均为NA=1818cm-3、ND=1015cm-3,N区的寿命tp=10-5s,且Wn>LP,300K下N型锗中Dp=45cm2/s,N型硅中Dp=13cm2/s,求外加偏压为-5V时,反向饱和电流和势垒区产生电流各位多少?从中可以得到什么结论?
31.
推导出正向电流与外加偏压的关系。
32.
硅光电池需要加偏压才能把光能转换成电能。
33.
即使在外加偏压下,pn结仍然有统一的费米能级。
34.
伴生电场和外加偏压密切相关,外加偏压撤除,伴生电场随之消失。
35.
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面进入强反型的条件是?
36.
理想的MIS结构在外加偏压的作用下,半导体表面可能形成的状态有?
37.
对于理想的MIS结构,在外加偏压作用下,半导体表面少子浓度比体内的多子浓度还要高时,处于哪种状态?
38.
下列器件在工作时不需要外加偏压的是 。