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> 载流子迁移率
"载流子迁移率"相关考试题目
1.
对于同种材料,单晶形态的载流子迁移率通常高于多晶形态的载流子迁移率。
2.
一般金属材料载流子迁移率很高, 但电阻率很小; 而绝缘材料电阻率极高, 但载流子迁移率极低。( )
3.
用载流子迁移率大的材料制成的晶体管有较好的频率响应。
4.
载流子迁移率的量纲是()
5.
确定了载流子迁移率和载流子浓度,就可确定该载流子的电导率。
6.
载流子迁移率(μ)的单位是()。
7.
说明能带中载流子迁移率的物理意义和作用。
8.
载流子迁移率与温度成正比。
9.
影响半导体载流子迁移率的因素主要有( )
10.
影响载流子迁移率的因素:( )、( )。
11.
晶体管的工作温度高温限决定于载流子迁移率的大小。()
12.
半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
13.
对于补偿的材料,载流子迁移率决定于两种杂质浓度之差。
14.
说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化?
15.
载流子迁移率
16.
半导体电导率与载流子迁移率成反比。
17.
载流子迁移率(μ)的单位是()。
18.
载流子迁移率的量纲是()
19.
说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化?
20.
载流子迁移率的物理意义是( )。
21.
决定半导体的载流子迁移率的因素包括有效质量、( )。
22.
载流子迁移率可以利用或者【图片】来计算,
23.
霍尔电势除了与材料的载流子迁移率和电阻率有关,同时还与霍尔元件的( )有关。
24.
提高载流子迁移率的方法是( )。
25.
决定半导体的载流子迁移率的因素有( )。
26.
晶体管的工作温度高温限决定于载流子迁移率的大小。
27.
说明本征锗和硅中载流子迁移率随温度增加如何变化?
28.
张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有( )
29.
减小载流子有效质量与减小散射可以提高载流子迁移率。
30.
半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
31.
题目:有机半导体材料载流子迁移率理论模拟—以并五苯和Alq3为例
32.
Vgs太大会引起载流子迁移率的退化,这是由于栅电场影响。
33.
半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
34.
下面有关载流子迁移率的说法,正确的是( )
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禁带宽度决定半导体的载流子迁移率
36.
题目:无定形mer-Alq3体系载流子迁移率的理论模拟
37.
β因子与载流子迁移率成正比,与晶格热导率成反比。
38.
半导体的掺杂浓度越高,载流子迁移率越低
39.
半导体中载流子迁移率的大小主要决定于( )。
40.
霍尔元件的材料要求有高的电阻率和载流子迁移率,只有_____材料最适合制造霍尔元件
41.
决定半导体的载流子迁移率的因素有( )。
42.
半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。
43.
用载流子迁移率大的材料制成的晶体管有较好的频率响应。()