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> 耗尽型
"耗尽型"相关考试题目
1.
结型场效应管均为耗尽型。
2.
场效应管按性能分为耗尽型和( )。
3.
耗尽型 MOSFET 与增强型 MOSFET 的区别是 ( ) 。
4.
写出下列各类场效应管工作在放大状态下的u GS 、U DS 的极性。 (1)N沟道结型FET。 (2)P沟道结型FET。 (3)N沟道耗尽型MOSFET。 (4)P沟道耗尽型：MOSFEET。 (5)N沟道增强型MOSFET。 (6)P沟道增强型MOSFET。
5.
如图所示耗尽型 N 沟道 MOS 管，RG = 1 MW，RS = 2 kW，RD= 12 kW ，VDD = 20 V。IDSS = 4 mA，UGS(off) = – 4 V，则 ID是（ ）。
6.
若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零，则其输入电阻会明显变小。
7.
在 CMOS反相器中,PMOS和NMOS都是耗尽型的。
8.
耗尽型的 MOS 器件一般用作( )。
9.
耗尽型 MOS 管的栅源控制电压应该满足
10.
[名词解释] 耗尽型NMOS管
11.
耗尽型MOSFET与增强型的区别何在?
12.
根据栅—源电压为零时，导电沟道是否存在，将场效应管分为（）和耗尽型。
13.
对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。
14.
= 0 时,耗尽型 MOS 管就存在导电沟道。
15.
简单叙述N沟道增强型和耗尽型MOS管的主要区别。
16.
下图中哪个符号是耗尽型NMOS的电路符号?
17.
耗尽型JFET
18.
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
19.
耗尽型场效应管在栅源电压(),()和()时均可导通,只有当栅源电压小于一定值时,导电沟道才被夹断。
20.
若耗尽型N沟道MOS管的 大于零,则其输入电阻会明显变小。( )
21.
若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 Ugs 大于零,则其输入电阻会明显变小
22.
时,耗尽型MOSFET能够工作在饱和区。
23.
下面属于带宽耗尽型DDoS攻击的是
24.
若耗尽型N沟道MOS管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小
25.
耗尽型MOS管在 u G S >0、 u G S <0、 u G S =0时均可工作在恒流区
26.
若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
27.
对于耗尽型MOS管，UGS可以为
28.
UGS(off) 既是增强型 MOS 管的参数,也是耗尽型管的参数。( )
29.
N沟道耗尽型MOS管可以工作在UGS£0或UGS>0
30.
若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻（）会明显变小。
31.
耗尽型NMOS管
32.
耗尽型MOSFET，栅源极之间的PN结（）。
33.
若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 U GS 大于零,则该管不能工作。( )
34.
若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 大于零,则其输入电阻会明显变小。
35.
耗尽型MOS管在$u_{\rm {GS}}$＞0、$u_{\rm {GS}}$＜0、$u_{\rm {GS}}$＝0时均可工作在恒流区。
36.
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
37.
场效应管按性能分为耗尽型和（）。
38.
耗尽型NMOS管
39.
n沟耗尽型JFET，夹断点压是正值。
40.
写出下列各类场效应管工作在放大状态下的uGS、UDS的极性。(1)N沟道结型FET。(2)P沟道结型FET。(3)N沟道耗尽型MOSFET。(4)P沟道耗尽型：MOSFEET。(5)N沟道增强型MOSFET。(6)P沟道增强型MOSFET。
41.
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。 ()
42.
若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
43.
下面属于连接耗尽型DDoS攻击的是
44.
（3）[mathjaxinline]u_{m {GS}}[/mathjaxinline]=0时，耗尽型 MOS管就存在导电沟道。
45.
对于耗尽型MOS管，VGS可以为（）
46.
对于耗尽型MOSFET，工作在恒流区时，VGS_________
47.
若耗尽型N沟道MOS管的Ugs，大于零，则其输人电阻会明显变小。
48.
$u_{\rm {GS}}$=0时，耗尽型 MOS管就存在导电沟道。
49.
耗尽型MOSFET与增强型MOSFET的区别是( )。
50.
选择正确答案填入空内： 使N沟道耗尽型MOS管导电沟道被夹断的条件是_____。
