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【多选题】
对于单边突变结,提高雪崩击穿的方法有 ( )
A.
降低轻掺杂一侧掺杂浓度
B.
选用禁带宽度较窄的半导体材料
C.
选用禁带宽度更大的半导体材料
D.
增加轻掺杂一侧掺杂浓度
题目标签:
突变结
单边突变结
雪崩击穿
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参考答案:
举一反三
【判断题】PN结的可逆击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点?
查看完整题目与答案
【单选题】PN结击穿类型中,( )是不可逆的。(A.电击穿;B.雪崩击穿;C.齐纳击穿;D.热击穿)
A.
电击穿
B.
雪崩击穿
C.
齐纳击穿
D.
热击穿
查看完整题目与答案
【判断题】对于一个刚刚雪崩击穿后的二极管来说,只要电源电压保持固定,一般情况下,管子是不会烧坏的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】以PN结耗尽区内的最大电场|E|max达到临界击穿电场Ec作为雪崩击穿的条件。某硅单边突变结的临界电场Ec为3.5x10^5V•cm-1,开始发生雪崩击穿时的耗尽区宽度为Xd=5.72um,PN结的雪崩击穿电压VB为
A.
70V
B.
50.5V
C.
100.1V
D.
200.2V
查看完整题目与答案
【判断题】PN结雪崩倍增因子M→1时,PN结发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】单边突变结(one-sided step junction)的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
查看完整题目与答案
【单选题】雪崩击穿计算击穿场强的理论是
A.
电击穿理论
B.
二十代理论
C.
四十代理论
D.
seitaz 理论
查看完整题目与答案
【判断题】一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度【图片】或杂质浓度梯度a较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】PN结有两种击穿方式,分别为雪崩击穿和____
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A.
电击穿
B.
雪崩击穿
C.
齐纳击穿
D.
热击穿
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A.
正确
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A.
70V
B.
50.5V
C.
100.1V
D.
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A.
正确
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A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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A.
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B.
二十代理论
C.
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D.
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A.
正确
B.
错误
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