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【单选题】

双极型晶体管硅管和锗管中,发射结势垒区复合电流对发射效率的影响,下列说法中正确的是

A.
该复合电流影响对硅管大,对锗管小
B.
该复合电流影响对锗管大,对硅管小
C.
该复合电流影响对两种管子同样大
D.
该复合电流影响对两种管子影响大小无法确定
题目标签：发射结发射效率双极型晶体管
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【简答题】硅晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()V,(填数字就行)。
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【简答题】普通三极管可以简要地把它归纳为“两结三区三极”。“两结”是发射结和（）。
查看完整题目与答案

【单选题】当晶体管工作于放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
A.
前者反偏、后者反偏
B.
前者正偏、后者反偏
C.
前者正偏、后者正偏
D.
前者反偏、后者正偏
查看完整题目与答案

【简答题】温度对三极管的参数影响较大,当温度升高时, β , ,正向发射结电压 , 。
查看完整题目与答案

【单选题】温敏三极管，晶体管发射结上的正向电压随温度上升而近似线性（）
A.
上升
B.
下降
C.
变大
D.
变高
查看完整题目与答案

【单选题】丙类高频谐振功放电路中，静态时，发射结是负偏置，也即基极点位 于反射极点位。
A.
大
B.
小
C.
等
D.
不确定
查看完整题目与答案

【判断题】晶体三极管工作在饱和状态时，发射结反偏。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】双极型晶体管集成电路的特点是()
A.
集成度高
B.
功耗低
C.
工作速度高
D.
驱动能力强
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅双极型晶体管简称（）。
A.
MOSFET
B.
IGBT
C.
GTR
D.
GTO
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变频技术>变频技术考试题目

【单选题】三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.
饱和区
B.
截止区
C.
击穿区
D.
放大区
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A.
前者反偏、后者反偏
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前者正偏、后者反偏
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下降
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C.
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功耗低
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工作速度高
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A.
饱和区
B.
截止区
C.
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