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【单选题】

N沟道JFET的跨导 是

A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
题目标签：跨导沟道
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参考答案：
举一反三

【单选题】为了增大MOSFET的跨导，应（）。
A.
A增大栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
B.
B减小栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
C.
C减小栅氧化层的厚度TOX，增大VGS；
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX，增大VGS
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【简答题】理想跨导型运放适合用哪种受控源表示？
查看完整题目与答案

【单选题】N沟道JFET的跨导 是
A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
查看完整题目与答案

【简答题】某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。（1）此元件是P沟道还是N沟道？（2）计算UGS=－3V是的ID；（3）计算UGS=3V时的ID。
查看完整题目与答案

【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
查看完整题目与答案

【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
查看完整题目与答案
水利部质量检测员考试>灌排工程工考试题目

【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
查看完整题目与答案

【简答题】有一鉴频器的鉴频特性如下图所示，鉴频器的输入电压为νf（t）=3cos（2π*106t+10sin2π*103t），试求鉴频跨导以及输出信号电压。
查看完整题目与答案

【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】电路如图所示，各晶体管的低频跨导均为gm，T1和T2管D-S间的动态电阻分别为rds1和rds2。试求解电压放大倍数Au＝ΔuO／ΔuI的表达式。
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【简答题】沟道电导调制
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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【单选题】患儿男，6岁。出生后即发现口唇青紫，且逐渐加重，活动后气促明显，无蹲踞。查体:口唇紫绀，可见杆状指。提示：心电图示窦性心律；胸部X线片示肺血减少；超声心动图示大动脉位置正常，三尖瓣闭锁，肺动脉瓣闭锁，动脉导管未闭，直径6mm，跨导管压差60mmHg，McGoon比值1.5， LVEF0.65，左室舒张末期容积指数。40ml/m ，诊断为三尖瓣闭锁。按Edward和Buchell分类法应属于的类型是
A.
IIIa
B.
IIa
C.
Ia
D.
Ib
E.
IIIb
F.
Ic
G.
IIb
H.
IIc
查看完整题目与答案

【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】如图所示，水平放置的平行金属导轨左边接有电阻R，轨道所在处有竖直向下的匀强磁场，金属棒ab横跨导轨，它在外力的作用下向右匀速运动，速度为v．若将金属棒的运动速度变为2v，（除R外，其余电阻不计，导轨光滑）则（　　）
A.
作用在ab上的外力应增大到原来的2倍
B.
感应电动势将增大为原来的4倍
C.
感应电流的功率将增大为原来的2倍
D.
外力的功率将增大为原来的4倍
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高中物理>导体切割磁感线时的感应电动势考试题目

【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】高频大功率晶体管3DA4的参数为fT=100MHz，β=20，集电极最大允许耗散功率PCM =20W，饱和临界线跨导gcr=0.8A/V，用它做成2MHz的谐振功率放大器，选定VCC=24V，θc=70°，ICM=2.2A，并工作在临界状态。试计算Rp、Po、Pc、ηc和。
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相关题目：
【单选题】为了增大MOSFET的跨导，应（）。
A.
A增大栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
B.
B减小栅氧化层的厚度TOX，减小VGS；
C.
C减小栅氧化层的厚度TOX，增大VGS；
D.
D增大栅氧化层的厚度TOX，增大VGS
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【简答题】理想跨导型运放适合用哪种受控源表示？
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【单选题】N沟道JFET的跨导 是
A.
一个固定值
B.
随电源电压 增大而增大
C.
随静态栅源电压 增大而增大
D.
随静态栅源电压 增大而减小
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【简答题】某MOSFET的IDSS=10mA且UP=－8V。（1）此元件是P沟道还是N沟道？（2）计算UGS=－3V是的ID；（3）计算UGS=3V时的ID。
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【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
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【判断题】衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管
A.
正确
B.
错误
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【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
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【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
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【简答题】有一鉴频器的鉴频特性如下图所示，鉴频器的输入电压为νf（t）=3cos（2π*106t+10sin2π*103t），试求鉴频跨导以及输出信号电压。
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【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【简答题】电路如图所示，各晶体管的低频跨导均为gm，T1和T2管D-S间的动态电阻分别为rds1和rds2。试求解电压放大倍数Au＝ΔuO／ΔuI的表达式。
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【简答题】沟道电导调制
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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【单选题】患儿男，6岁。出生后即发现口唇青紫，且逐渐加重，活动后气促明显，无蹲踞。查体:口唇紫绀，可见杆状指。提示：心电图示窦性心律；胸部X线片示肺血减少；超声心动图示大动脉位置正常，三尖瓣闭锁，肺动脉瓣闭锁，动脉导管未闭，直径6mm，跨导管压差60mmHg，McGoon比值1.5， LVEF0.65，左室舒张末期容积指数。40ml/m ，诊断为三尖瓣闭锁。按Edward和Buchell分类法应属于的类型是
A.
IIIa
B.
IIa
C.
Ia
D.
Ib
E.
IIIb
F.
Ic
G.
IIb
H.
IIc
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【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】如图所示，水平放置的平行金属导轨左边接有电阻R，轨道所在处有竖直向下的匀强磁场，金属棒ab横跨导轨，它在外力的作用下向右匀速运动，速度为v．若将金属棒的运动速度变为2v，（除R外，其余电阻不计，导轨光滑）则（　　）
A.
作用在ab上的外力应增大到原来的2倍
B.
感应电动势将增大为原来的4倍
C.
感应电流的功率将增大为原来的2倍
D.
外力的功率将增大为原来的4倍
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【判断题】若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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