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【简答题】

硅二极管的正向压降为 ________ 伏,反向漏电流为 ________ 数量级。 PN 结反向偏置时,应该是 N 区的电位比 P 区的电位 ________ 。

题目标签：硅二极管数量级反向偏置
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举一反三

【判断题】三极管等效电路指放大器输入信号在微伏或毫伏数量级时符合微变等效电路的基本要求，故可以简化成线性电路计算。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】当障碍物的大小与波长为同一数量级时，声音在传播时将产生( )。
A.
增加
B.
减小
C.
散射
D.
绕射
查看完整题目与答案

【单选题】常用热电堆的比探测率的数量级大约为（ ）
A.
约为 10E7
B.
约为 10E8
C.
约为 10E9
D.
约为 10E10
查看完整题目与答案

【判断题】半导体二极管按材料分为硅二极管和锗二极管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】硅二极管的死区电压通常约为( )。
A.
0.1V
B.
0.5V
C.
0.7V
D.
0.3V
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【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
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【单选题】所示电路中, D 1 、 D 2 为硅二极管,导通压降为 0.7V 。 B 端接7 V , A 接 3V 时, V O 等于( )伏。
A.
7
B.
7.7
C.
3
D.
3.7
查看完整题目与答案

【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】在热中子反应堆内，快中子的慢化时间比热中子扩散时间要()得多，相差约()个数量级。
A.
小1
B.
小2
C.
大1
D.
大2
查看完整题目与答案

【单选题】原子半径的数量级是
A.
10 － 10 cm
B.
10 -8 m
C.
10 -10 m
D.
10 -13 m
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正确
B.
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A.
增加
B.
减小
C.
散射
D.
绕射
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【单选题】常用热电堆的比探测率的数量级大约为（ ）
A.
约为 10E7
B.
约为 10E8
C.
约为 10E9
D.
约为 10E10
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【判断题】半导体二极管按材料分为硅二极管和锗二极管。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】硅二极管的死区电压通常约为( )。
A.
0.1V
B.
0.5V
C.
0.7V
D.
0.3V
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【单选题】硅二极管的死区电压 V
A.
0.2
B.
0.5
C.
2
D.
5
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【单选题】所示电路中, D 1 、 D 2 为硅二极管,导通压降为 0.7V 。 B 端接7 V , A 接 3V 时, V O 等于( )伏。
A.
7
B.
7.7
C.
3
D.
3.7
查看完整题目与答案
【判断题】硅二极管的正向压降比锗二极管的正向压降大
A.
正确
B.
错误
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【单选题】在热中子反应堆内，快中子的慢化时间比热中子扩散时间要()得多，相差约()个数量级。
A.
小1
B.
小2
C.
大1
D.
大2
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【单选题】原子半径的数量级是
A.
10 － 10 cm
B.
10 -8 m
C.
10 -10 m
D.
10 -13 m
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