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【判断题】

一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度 或杂质浓度梯度 a 较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。

A.
正确
B.
错误
题目标签：齐纳击穿杂质浓度雪崩击穿
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参考答案：
举一反三

【判断题】实际的PN结，P区和N区杂质浓度相等。 ( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】PN结的可逆击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案

【判断题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时,压阻系数增加。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】何谓PN结的击穿特性?雪崩击穿和齐纳击穿各有何特点?
查看完整题目与答案

【单选题】PN结击穿类型中，（ ）是不可逆的。（A.电击穿；B.雪崩击穿；C.齐纳击穿；D.热击穿）
A.
电击穿
B.
雪崩击穿
C.
齐纳击穿
D.
热击穿
查看完整题目与答案

【判断题】对于BJT而言,正偏的p-n结在电场达到某个临界电场时会发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】对于一个刚刚雪崩击穿后的二极管来说,只要电源电压保持固定,一般情况下,管子是不会烧坏的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案

【判断题】二极管的反向击穿可以分为雪崩击穿和齐纳击穿，这两种击穿发生后，反向电流将随着电压的变化而陡峭增加，断开电源后，这两种击穿可以恢复
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】PN结雪崩倍增因子M→1时，PN结发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】简述PN结反向击穿的原理（雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿）
查看完整题目与答案
半导体物理考试题目

【单选题】雪崩击穿计算击穿场强的理论是
A.
电击穿理论
B.
二十代理论
C.
四十代理论
D.
seitaz 理论
查看完整题目与答案

【简答题】二极管在击穿时，按照击穿原理分类，可以分为齐纳击穿型和型
查看完整题目与答案

【判断题】一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度【图片】或杂质浓度梯度a较小时，容易发生齐纳击穿。反之，则容易发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
查看完整题目与答案

【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
查看完整题目与答案

【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
查看完整题目与答案

【简答题】PN结有两种击穿方式,分别为雪崩击穿和____
查看完整题目与答案

【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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A.
正确
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错误
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A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】PN结击穿类型中，（ ）是不可逆的。（A.电击穿；B.雪崩击穿；C.齐纳击穿；D.热击穿）
A.
电击穿
B.
雪崩击穿
C.
齐纳击穿
D.
热击穿
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【判断题】二极管的反向击穿可以分为雪崩击穿和齐纳击穿，这两种击穿发生后，反向电流将随着电压的变化而陡峭增加，断开电源后，这两种击穿可以恢复
A.
正确
B.
错误
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【判断题】PN结雪崩倍增因子M→1时，PN结发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述PN结反向击穿的原理（雪崩效应、齐纳击穿、热电击穿）
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【单选题】雪崩击穿计算击穿场强的理论是
A.
电击穿理论
B.
二十代理论
C.
四十代理论
D.
seitaz 理论
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【判断题】一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度【图片】或杂质浓度梯度a较小时，容易发生齐纳击穿。反之，则容易发生雪崩击穿。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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