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【判断题】

一般说来,当势垒区较宽时,即杂质浓度 或杂质浓度梯度 a 较小时,容易发生齐纳击穿。反之,则容易发生雪崩击穿。

A.
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B.
错误
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举一反三

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。

A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗

【单选题】雪崩击穿计算击穿场强的理论是

A.
电击穿理论
B.
二十代理论
C.
四十代理论
D.
seitaz 理论
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