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【单选题】
MIS结构的表面发生强反型时,若增加杂质浓度,其开启电压将()。
A.
增加
B.
减少
C.
不变
D.
先 减少再 增加
题目标签:
反型
杂质浓度
强反型
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参考答案:
举一反三
【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于()mg/L时,将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案
【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案
【简答题】界面临界强反型的定义是界面少子的浓度与体内多子浓度( )。
查看完整题目与答案
【判断题】低频下,MOS器件在耗尽或弱反型专态,电容是偏压的函数
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】通常情况下,当氧化物在杂质浓度较低时,其在高温条件下引起的扩散主要是()。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
查看完整题目与答案
【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3,计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
查看完整题目与答案
【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3,分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
查看完整题目与答案
【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
查看完整题目与答案
【单选题】金属与n型半导体形成MIS结构,表面层处于反型状态时,有( )。
A.
E F > E i
B.
E F = E i
C.
E F < E i
D.
E F < E v
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A.
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500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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A.
正确
B.
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A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
正确
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A.
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B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
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A.
能量
B.
剂量
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A.
E F > E i
B.
E F = E i
C.
E F < E i
D.
E F < E v
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