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【单选题】
直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
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举一反三
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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C.
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D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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