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【简答题】

导出非简并载流子满足的爱因斯坦关系。

题目标签：非简并爱因斯坦关系载流子
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举一反三

【单选题】非简并定态微扰理论中，波函数的一级近似公式为（）
A.
A
B.
B
C.
C
D.
D
查看完整题目与答案

【单选题】杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
A.
温度
B.
杂质浓度
C.
电子空穴对数
查看完整题目与答案

【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
查看完整题目与答案

【简答题】半导体中有两种载流子,带正电的 和带负电的 。
查看完整题目与答案

【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
查看完整题目与答案

【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
查看完整题目与答案

【判断题】由于 N 型半导体中的多数载流子是电子,电子带负电,所以 N 型半导体带负电。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
查看完整题目与答案

【判断题】n型半导体又叫电子型半导体,所以n型半导体内的载流子只有电子。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】N型半导体中的自由电子属于（ ）载流子。
查看完整题目与答案

【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
查看完整题目与答案

【简答题】在 P 型半导体中,多数载流子是 ,而 N 型半导体中,多数载流子是 。
查看完整题目与答案

【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】该式是非简并微扰计算过程量,其结论是否正确?
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】P 型半导体中的多数载流子是
A.
自由电子
B.
正离子
C.
空穴
D.
负离子
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【判断题】杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率_________，（变小，变大）晶格振动声子的散射概率_________。（变小，变大）
查看完整题目与答案

【判断题】对于过剩载流子来说,空穴的复合寿命始终等于电子的复合寿命
A.
正确
B.
错误
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温度
B.
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【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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A.
发射
B.
输送控制
C.
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A.
正确
B.
错误
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A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
自由电子
B.
正离子
C.
空穴
D.
负离子
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A.
正确
B.
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【简答题】杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率_________，（变小，变大）晶格振动声子的散射概率_________。（变小，变大）
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【判断题】对于过剩载流子来说,空穴的复合寿命始终等于电子的复合寿命
A.
正确
B.
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