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【简答题】

熔体生长法 是 。

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举一反三

【判断题】SiC可以用熔体生长法。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】熔体生长的晶体中温度分布规律是什么？
查看完整题目与答案

【简答题】推导熔体生长系统中的相变驱动力表达式
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【多选题】晶体生长所用的熔体生长法包括( )
A.
提拉法
B.
坩埚下降法
C.
区熔法
D.
焰熔法
查看完整题目与答案

【单选题】对于熔体生长的理想晶体生长条件是()
A.
较低的蒸气压、低熔点
B.
较低的蒸气压、高熔点
C.
较高的蒸气压、低熔点
D.
较高的蒸气压、高熔点
查看完整题目与答案

【简答题】试说明熔体生长过程中宏观结晶界面形貌对晶体生长过程的影响。
查看完整题目与答案

【单选题】以下熔体生长法生长晶体描述正确的是
A.
材料必须在熔化过程中成分不变
B.
材料在是温和熔点之间能够发生相变
C.
二氧化硅可以用于熔体生长法
D.
材料在熔化前能够分解
查看完整题目与答案

【多选题】下述方法属于熔体生长法的是（）
A.
提拉法
B.
液相外延法
C.
熔盐法
D.
焰熔法
查看完整题目与答案

【简答题】熔体生长法指从 中生长晶体的方法，是制备大单晶体和特定形状晶体的最常用和最重要的方法之一。
查看完整题目与答案

【简答题】熔体生长的方法有哪些？依据的基本原理，生长过程，适用范围及优缺点各是什么？
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C.
区熔法
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A.
较低的蒸气压、低熔点
B.
较低的蒸气压、高熔点
C.
较高的蒸气压、低熔点
D.
较高的蒸气压、高熔点
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【简答题】试说明熔体生长过程中宏观结晶界面形貌对晶体生长过程的影响。
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A.
材料必须在熔化过程中成分不变
B.
材料在是温和熔点之间能够发生相变
C.
二氧化硅可以用于熔体生长法
D.
材料在熔化前能够分解
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A.
提拉法
B.
液相外延法
C.
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