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【判断题】

多晶硅薄膜的电阻率比非晶硅和微晶硅薄膜的都要小。

A.
正确
B.
错误
题目标签：多晶硅非晶硅电阻率
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举一反三

【单选题】金属处于（）状态时电阻率高。
A.
淬火
B.
退火
C.
正火
查看完整题目与答案
机械工程>焊接与热切割考试题目

【单选题】非晶硅平板
A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体
查看完整题目与答案

【判断题】通信电源系统中，防雷接地装置的接地电阻一般应不大于5Ω，在土壤电阻率低的地方应不大于1Ω。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
查看完整题目与答案

【单选题】④非晶硅只能做
A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
查看完整题目与答案

【单选题】焊接时，电阻率ρ愈高，产生的热量愈少
A.
对
查看完整题目与答案

【单选题】温度升高时，金属的电阻率会（）。 
A.
变小
B.
不变
C.
增大
D.
略增大
查看完整题目与答案

【单选题】软铜单线的电阻率在 20℃时应不大于( )Ω·mm2/m。
A.
0.17241
B.
0.017241
C.
0.0017241
D.
1.7241
查看完整题目与答案

【判断题】电阻值大的导体，电阻率一定也大
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】在电阻应变片公式,dR/R=(1+2μ)ε+λEε中,λ代表电阻率( )
A.
正确
B.
错误
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间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】④非晶硅只能做
A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
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【单选题】焊接时，电阻率ρ愈高，产生的热量愈少
A.
对
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【单选题】温度升高时，金属的电阻率会（）。 
A.
变小
B.
不变
C.
增大
D.
略增大
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【单选题】软铜单线的电阻率在 20℃时应不大于( )Ω·mm2/m。
A.
0.17241
B.
0.017241
C.
0.0017241
D.
1.7241
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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