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【判断题】

MOS是金属－氧化物－半导体场效应管的英文缩写。( )

A.
正确
B.
错误
题目标签：场效应管半导体英文缩写
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举一反三

【多选题】UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 （ ） 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案

【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
查看完整题目与答案

【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案

【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（　）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
查看完整题目与答案

【单选题】全球位置码的英文缩写是()。
A.
GTIN
B.
SSCC
C.
GRAI
D.
GLN
查看完整题目与答案

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
肖克利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
正确
B.
错误
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D.
耗尽型 PMOS
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【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。（ ）
A.
正确
B.
错误
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【多选题】光纤通信系统使用的半导体光源主要有（ ）
A.
半导体激光器
B.
光电二极管
C.
半导体发光二极管
D.
雪崩光电二极管
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【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
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【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
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【多选题】发光二极管(LED)是电致发光的固体半导体高亮度光源，其特点有（　）。
A.
使用寿命长
B.
显色指数高
C.
无紫外和红外辐射
D.
能在低电压下工作
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【单选题】全球位置码的英文缩写是()。
A.
GTIN
B.
SSCC
C.
GRAI
D.
GLN
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅，后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型，后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型，后者为 N 型
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【单选题】集成电路发明者之一,英特尔公司、仙童半导体公司共同创始人是?
A.
肖克利
B.
贝尔
C.
洛克
D.
罗伯特诺伊斯
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【判断题】半导体锗和硅都是晶体结构,所以半导体管又称为晶体管。
A.
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