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【简答题】

在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?

题目标签：杂质半导体载流子温度变化
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参考答案：
举一反三

【单选题】温度变化误差属于（）
A.
仪器误差
B.
观测误差
C.
外界条件的影响
D.
书写错误
查看完整题目与答案

【单选题】杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
A.
温度
B.
杂质浓度
C.
电子空穴对数
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【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
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【简答题】半导体中有两种载流子,带正电的 和带负电的 。
查看完整题目与答案

【判断题】溶液中组分的挥发度是随温度变化的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】溶解度随温度变化最大的是（）。
A.
氯化钠
B.
氯化钙
C.
氢化镁
D.
乙酰苯胺
查看完整题目与答案

【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
查看完整题目与答案

【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
查看完整题目与答案

【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
查看完整题目与答案

【单选题】静定结构有温度变化时 ( )
A.
无变形，无位移，无内力
B.
有变形，有位移．无内力
C.
有变形．有位移，有内力
D.
无变形．有位移，无内力
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【简答题】N型半导体中的自由电子属于（ ）载流子。
查看完整题目与答案

【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
查看完整题目与答案

【简答题】在 P 型半导体中,多数载流子是 ,而 N 型半导体中,多数载流子是 。
查看完整题目与答案

【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】N型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】叙述酶活性与温度变化的关系。
查看完整题目与答案

【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】高压加热器允许的温度变化率是多少？
查看完整题目与答案

【判断题】杂质型半导体的多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率_________，（变小，变大）晶格振动声子的散射概率_________。（变小，变大）
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A.
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B.
杂质浓度
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A.
正确
B.
错误
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A.
氯化钠
B.
氯化钙
C.
氢化镁
D.
乙酰苯胺
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A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
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【多选题】半导体中的载流子散射概率,与温度成正比的是:
A.
电离杂质散射
B.
晶格振动散射
C.
声学波散射
D.
光学波散射
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A.
无变形，无位移，无内力
B.
有变形，有位移．无内力
C.
有变形．有位移，有内力
D.
无变形．有位移，无内力
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【判断题】N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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