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【单选题】

当载流子积累的能量 超过禁带宽度 时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN结的( )中

A.
中性区
B.
欧姆电极
C.
耗尽区
D.
扩散区
题目标签：碰撞电离电子空穴电子跃迁
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【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的是:( )
A.
s→s*
B.
n→s*
C.
p→p*
D.
n→p*
查看完整题目与答案

【判断题】分析气体放电时,一般只考虑电子引起的碰撞电离。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。（ω=3.6ev/电子空穴对，e=1.6×10-19库仑）
查看完整题目与答案

【单选题】电子空穴对作为准粒子,是
A.
波色子
B.
费米子
C.
可能是波色子，也可能是费米子
D.
既不是波色子，也不是费米子
查看完整题目与答案

【简答题】带电离子的产生主要有碰撞电离、______、______、表面电离等方式。
查看完整题目与答案

【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的为：（）
A.
→*
B.
n→*
C.
→*
D.
n→*
查看完整题目与答案

【判断题】所有气体放电都有一个电子碰撞电离导致电子崩的阶段
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】什么是电子碰撞电离系数?
查看完整题目与答案

【单选题】电子跃迁产生的光谱为:【 】
A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
查看完整题目与答案

【单选题】能产生π→π*电子跃迁的结构类型是
A.
饱和烃的C-C
B.
孤立双键或共轭双键
C.
含-NO2结构
D.
含C＝O结构
E.
含-X基因
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s→s*
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n→s*
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p→p*
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n→p*
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A.
正确
B.
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【单选题】电子空穴对作为准粒子,是
A.
波色子
B.
费米子
C.
可能是波色子，也可能是费米子
D.
既不是波色子，也不是费米子
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【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的为：（）
A.
→*
B.
n→*
C.
→*
D.
n→*
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A.
正确
B.
错误
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A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
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A.
饱和烃的C-C
B.
孤立双键或共轭双键
C.
含-NO2结构
D.
含C＝O结构
E.
含-X基因
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