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【单选题】

当载流子积累的能量 超过禁带宽度 时可使被碰撞的价带电子跃迁到导带,从而产生一对新的电子空穴对,这就是碰撞电离过程,其主要发生在反偏PN结的( )中

A.
中性区
B.
欧姆电极
C.
耗尽区
D.
扩散区
题目标签：碰撞电离电子空穴电子跃迁
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参考答案：
举一反三

【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的是:( )
A.
s→s*
B.
n→s*
C.
p→p*
D.
n→p*
查看完整题目与答案

【单选题】原子内层电子跃迁产生的是（）
A.
靶面
B.
电子源
C.
轨道电子跃迁
D.
特征X线
E.
轫致辐射
查看完整题目与答案

【单选题】PIN光电二极管,平均每三个入射光子产生一个电子空穴对,假设所有电子都被收集,则该器件的量子效率为 ________。
A.
1/3
B.
1/4
C.
1/2
D.
0.4
查看完整题目与答案

【判断题】分析气体放电时,一般只考虑电子引起的碰撞电离。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】流注理论认为，碰撞电离和空间 电离是形成自持放电的主要因素。
查看完整题目与答案

【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。（ω=3.6ev/电子空穴对，e=1.6×10-19库仑）
查看完整题目与答案

【单选题】电子跃迁的类型不正确的是
A.
π→π*跃迁
B.
n→n*跃迁
C.
π→σ*跃迁
D.
σ→σ*跃迁
E.
n→π*跃迁
查看完整题目与答案

【判断题】半导体和绝缘体的能带结构相似，只是半导体的禁带宽度较小，在外界光、热等作用下，满带中的电子可以跃过禁带到空带中，从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】液体电介质的击穿机理主要可分为：电子的碰撞电离理论和()。
A.
气泡击穿理论
B.
巴申理论
C.
汤逊理论
D.
自持放电理论
查看完整题目与答案

【单选题】电子空穴对作为准粒子,是
A.
波色子
B.
费米子
C.
可能是波色子，也可能是费米子
D.
既不是波色子，也不是费米子
查看完整题目与答案

【简答题】带电离子的产生主要有碰撞电离、______、______、表面电离等方式。
查看完整题目与答案

【判断题】碰撞电离主要是正离子的碰撞引起的。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的为：（）
A.
→*
B.
n→*
C.
→*
D.
n→*
查看完整题目与答案

【简答题】p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
查看完整题目与答案

【判断题】所有气体放电都有一个电子碰撞电离导致电子崩的阶段
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】什么是电子碰撞电离系数?
查看完整题目与答案

【单选题】本征半导体中的电子空穴对是由( )的作用产生。
A.
空穴移动
B.
自由电子移动
C.
载流子运动
D.
热激发
查看完整题目与答案

【判断题】紫外光谱属于带状光谱的原因是因为产生电子跃迁时伴随着振动能级和转动能级的跃迁。
A.
对
B.
错
查看完整题目与答案

【单选题】电子跃迁产生的光谱为:【 】
A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
查看完整题目与答案

【单选题】能产生π→π*电子跃迁的结构类型是
A.
饱和烃的C-C
B.
孤立双键或共轭双键
C.
含-NO2结构
D.
含C＝O结构
E.
含-X基因
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相关题目：
【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的是:( )
A.
s→s*
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【单选题】原子内层电子跃迁产生的是（）
A.
靶面
B.
电子源
C.
轨道电子跃迁
D.
特征X线
E.
轫致辐射
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【单选题】PIN光电二极管,平均每三个入射光子产生一个电子空穴对,假设所有电子都被收集,则该器件的量子效率为 ________。
A.
1/3
B.
1/4
C.
1/2
D.
0.4
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【判断题】分析气体放电时,一般只考虑电子引起的碰撞电离。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】流注理论认为，碰撞电离和空间 电离是形成自持放电的主要因素。
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【简答题】分析快电荷灵敏前置放大器。分别计算电荷和能量变换增益。（ω=3.6ev/电子空穴对，e=1.6×10-19库仑）
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【单选题】电子跃迁的类型不正确的是
A.
π→π*跃迁
B.
n→n*跃迁
C.
π→σ*跃迁
D.
σ→σ*跃迁
E.
n→π*跃迁
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【判断题】半导体和绝缘体的能带结构相似，只是半导体的禁带宽度较小，在外界光、热等作用下，满带中的电子可以跃过禁带到空带中，从而出现了满带中的电子空穴导电和空带中自有电子导电
A.
正确
B.
错误
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【单选题】液体电介质的击穿机理主要可分为：电子的碰撞电离理论和()。
A.
气泡击穿理论
B.
巴申理论
C.
汤逊理论
D.
自持放电理论
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【单选题】电子空穴对作为准粒子,是
A.
波色子
B.
费米子
C.
可能是波色子，也可能是费米子
D.
既不是波色子，也不是费米子
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【简答题】带电离子的产生主要有碰撞电离、______、______、表面电离等方式。
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【判断题】碰撞电离主要是正离子的碰撞引起的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】四种电子跃迁类型中所需能量ΔE最大的为：（）
A.
→*
B.
n→*
C.
→*
D.
n→*
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【简答题】p-n结太阳电池在稳定的光照下,产生的电子空穴对,在内建电场的作用下,电子“集结”______区,空穴 “集结”到________区,此时电池两级之间的电压是太阳电池的光生电压。
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【判断题】所有气体放电都有一个电子碰撞电离导致电子崩的阶段
A.
正确
B.
错误
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【简答题】什么是电子碰撞电离系数?
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【单选题】本征半导体中的电子空穴对是由( )的作用产生。
A.
空穴移动
B.
自由电子移动
C.
载流子运动
D.
热激发
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【判断题】紫外光谱属于带状光谱的原因是因为产生电子跃迁时伴随着振动能级和转动能级的跃迁。
A.
对
B.
错
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【单选题】电子跃迁产生的光谱为:【 】
A.
紫外可见光谱
B.
红外光谱
C.
核磁共振氢谱
D.
核磁共振碳谱
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【单选题】能产生π→π*电子跃迁的结构类型是
A.
饱和烃的C-C
B.
孤立双键或共轭双键
C.
含-NO2结构
D.
含C＝O结构
E.
含-X基因
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