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【判断题】
由于电力MOSFET的栅极下面有绝缘层,从而形成了输入电容,栅极电压的变化速度与输入电容的充放电速度有关,所以管子的开关速度受到输入电容的充放电速度的影响。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
栅极电压
输入电容
开关速度
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参考答案:
举一反三
【判断题】绝缘栅双极型晶体管为电流控制元件,输入阻抗小,开关速度高。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】开关速度最快的器件是哪种?
A.
电力二极管
B.
晶闸管
C.
电力场效应管Power MOSFET
D.
绝缘门极晶体管IGBT
查看完整题目与答案
【单选题】下列半导体器件中开关速度最快的是( )
A.
GTR
B.
IGBT
C.
GTO
D.
电力MOSFET
查看完整题目与答案
【判断题】IGBT的开关速度高,开关损耗大。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()
A.
IGBT
B.
GTR
C.
MOSFET
D.
GTO
查看完整题目与答案
【简答题】掺金可以使PN结的开关速度
查看完整题目与答案
【单选题】与功率MOSFET相比,IGBT的开关速度更快。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】在 GTR 、 GTO 、 IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 IGBT 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】三极管作为开关使用时,要提高开关速度,下列不属于的是( )。
A.
降低饱和深度
B.
增加饱和深度
C.
采用有源泄放回路
D.
采用抗饱和三极管
查看完整题目与答案
【判断题】节流控制箱上的速度调节阀是用来调节节流阀开关速度的,不能关到底,否则,无法控制节流阀的启闭。
A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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A.
电力二极管
B.
晶闸管
C.
电力场效应管Power MOSFET
D.
绝缘门极晶体管IGBT
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【单选题】下列半导体器件中开关速度最快的是( )
A.
GTR
B.
IGBT
C.
GTO
D.
电力MOSFET
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【判断题】IGBT的开关速度高,开关损耗大。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】比较而言,下列半导体器件中开关速度最慢的是()
A.
IGBT
B.
GTR
C.
MOSFET
D.
GTO
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【简答题】掺金可以使PN结的开关速度
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【单选题】与功率MOSFET相比,IGBT的开关速度更快。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】在 GTR 、 GTO 、 IGBT 与 MOSFET 中,开关速度最快的是 IGBT 。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】三极管作为开关使用时,要提高开关速度,下列不属于的是( )。
A.
降低饱和深度
B.
增加饱和深度
C.
采用有源泄放回路
D.
采用抗饱和三极管
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【判断题】节流控制箱上的速度调节阀是用来调节节流阀开关速度的,不能关到底,否则,无法控制节流阀的启闭。
A.
正确
B.
错误
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