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【简答题】
利用高斯公式计算曲面积分，∫∫(∑)x^2dydz+y^2dzdx+z^2dxdy,其中∑为平面x=0,y=0,z=0,x+y+z=1 (a>0) 所围立体全表面的外侧.
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举一反三
【单选题】关于高斯公式和斯托克斯公式,下列说法正确的是
A.
高斯公式沟通了三重积分与曲面积分之间的联系。 斯托克斯公式沟通了曲面积分与曲线积分的联系。
B.
高斯公式沟通了曲面积分与曲线积分的联系。 斯托克斯公式沟通了三重积分与曲面积分之间的联系。
【多选题】利用高斯法进行潮流计算，以下说法正确的是？（）
A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性
【单选题】在利用高斯定理求场强时，高斯面上任意一点的场强
A.
只与高斯面内的电荷有关
B.
只与高斯面外的电荷有关
C.
与高斯面内、外的电荷都有关
D.
与高斯面内、外的电荷都无关
【多选题】关于牛顿和高斯公式，下面说法正确的是
A.
牛顿公式的物距和像距是以焦点为参考点；
B.
牛顿公式中关于物像大小的表达式为
。
。C.
高斯公式的物距和像距是以主点为参考点；
D.
高斯公式中关于物像位置的表达式为
；
；
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B.
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【多选题】利用高斯法进行潮流计算，以下说法正确的是？（）
A.
阻抗矩阵法收敛性比导纳矩阵收敛性好
B.
高斯法具有二阶收敛性
C.
导纳矩阵收敛性比阻抗矩阵法收敛性好
D.
高斯法具有一阶收敛性
【单选题】在利用高斯定理求场强时，高斯面上任意一点的场强
A.
只与高斯面内的电荷有关
B.
只与高斯面外的电荷有关
C.
与高斯面内、外的电荷都有关
D.
与高斯面内、外的电荷都无关
【多选题】关于牛顿和高斯公式，下面说法正确的是
A.
牛顿公式的物距和像距是以焦点为参考点；
B.
牛顿公式中关于物像大小的表达式为
。
。C.
高斯公式的物距和像距是以主点为参考点；
D.
高斯公式中关于物像位置的表达式为
；
；
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