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【简答题】

在一个均匀的n型半导体的表面的一点注入少数载流子空穴。在样品上施加一个50V/cm的电场,在电场力的作用下这些少数载流子在100μs的时间内移动了1cm,则少数载流子的迁移率为 。(kT=0.026eV)

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参考答案:
举一反三

【单选题】在P型半导体中_______。

A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。

A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)

【单选题】P型半导体的多子是

A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
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D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子
【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。
A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)
【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
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