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【简答题】

若在禁带中心E存在单能级的快界面态(即Et=Ei),其密度为Nstcm-2。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布,试证明界面态电容Css(Vs)为

式中

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举一反三

【单选题】界面态密度随晶体取向而变,对于硅晶体,界面态密度按()顺序而变。

A.
( 111 ) < ( 100 ) < ( 110 )
B.
( 100 ) < ( 110 ) < ( 111 )
C.
( 110 ) < ( 100 ) < ( 111 )
D.
( 101 ) < ( 110 ) < ( 111 )

【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:

A.
材料表面的原子重构
B.
由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
D.
化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
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A.
( 111 ) < ( 100 ) < ( 110 )
B.
( 100 ) < ( 110 ) < ( 111 )
C.
( 110 ) < ( 100 ) < ( 111 )
D.
( 101 ) < ( 110 ) < ( 111 )
【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括:
A.
材料表面的原子重构
B.
由于两种材料热膨胀系数不同,在高温下引入界面态
C.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
D.
化合物半导体构成的异质结中,由于成分元素的互扩散,引入界面态
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