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【简答题】

[名词解释] 反型异质结

题目标签：反型异质结
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参考答案：
举一反三

【判断题】衬底掺杂浓度NA越高，Vs越大，越易达到强反型。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】界面临界强反型的定义是界面少子的浓度与体内多子浓度( )。
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【单选题】下列能够形成异质结的一组材料是()
A.
p型Si和p型Ge
B.
n型Si和p型Si
C.
n型Ge和p型Ge
D.
n型GaAs和p型GaAs
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【简答题】反型异质结
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【判断题】低频下,MOS器件在耗尽或弱反型专态,电容是偏压的函数
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】pn结二极管是一种异质结二极管。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】弱反型
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【多选题】在异质结的界面处引入界面态的原因包括：
A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
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【单选题】金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时,有（ ）。
A.
E F ＞ E i
B.
E F = E i
C.
E F ＜ E i
D.
E F ＜ E v
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【简答题】[名词解释] 同型异质结
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物理学>半导体材料考试题目
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p型Si和p型Ge
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n型Si和p型Si
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n型Ge和p型Ge
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n型GaAs和p型GaAs
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A.
正确
B.
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A.
在异质结的两种半导体材料界面处存在晶格失配
B.
由于两种材料热膨胀系数不同，在高温下引入界面态
C.
化合物半导体构成的异质结中，由于成分元素的互扩散，引入界面态
D.
材料表面的化学吸附
E.
材料表面的原子重构
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【单选题】金属与n型半导体形成MIS结构，表面层处于反型状态时,有（ ）。
A.
E F ＞ E i
B.
E F = E i
C.
E F ＜ E i
D.
E F ＜ E v
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【简答题】[名词解释] 同型异质结
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