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【简答题】
对1T DRAM，假设位线电容为1pF，位线预充电电压为1.25V。在存储数据为1和0时单元电容Cs（50fF）上的电压分别等于1.9V和0V。这相当于电荷传递速率为4.8%。求读操作期间位线上的电压摆幅。
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举一反三
【单选题】一般线路接触器和预充电接触器的动作先后关系（）。
A.
线路接触器比预充电接触器先合上
B.
线路接触器比预充电接触器后合上
C.
线路接触器和预充电接触器同时合上
D.
不明确
【单选题】在有储能电容器的三相桥式整流电路中，电容器充电电压为（）。
A.
整流器输出电压的平均值；
B.
变压器二次相电压的有效值；
C.
变压器二次线电压的峰值；
D.
变压器二次相电压的峰值。
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D.
不明确
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A.
整流器输出电压的平均值；
B.
变压器二次相电压的有效值；
C.
变压器二次线电压的峰值；
D.
变压器二次相电压的峰值。
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