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【单选题】

下图是理想MOS电容在室温下的能带图,其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲,且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV,电子亲合势为4.0 eV,导带底有效状态密度为 ,则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )

A.
B.
C.
D.
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举一反三

【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。

A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱

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A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
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D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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A.
被完全占据
B.
被占据的可能为0
C.
被占据的可能为1/2
【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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