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【单选题】
下图是理想MOS电容在室温下的能带图,其中施加一个栅极偏压使得能带弯曲,且在Si-SiO2界面处半导体的费米能级与本征费米能级重合。已知Si的禁带宽度为1.18 eV,电子亲合势为4.0 eV,导带底有效状态密度为
,则Si-SiO2界面处的电子浓度为( )
。
A.
B.
C.
D.
题目标签:
电子浓度
电子亲合势
费米能级
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参考答案:
举一反三
【判断题】半导体的功函数决定于费米能级在禁带中的位置。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】n-Si的电子浓度为空穴浓度的10000倍,则其本征载流子浓度为空穴浓度的( )倍。
A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
查看完整题目与答案
【简答题】一块硅片掺磷浓度为10 15 cm -3 .求室温下(300K)的载流子浓度和费米能级.
查看完整题目与答案
【简答题】费米能级是指: 。
查看完整题目与答案
【判断题】可以用费米能级来表征电子系统的化学势与电化学势。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】费米能级一般在( )。
A.
导带
B.
价带
C.
禁带
D.
不能确定
查看完整题目与答案
【简答题】太阳活动是指太阳大气的不稳定性所导致的一些明显现象,处于活动剧烈期的太阳释放出大量紫外线、x射线、粒子流等,因而往往引起地球上磁暴和电离层扰动等现象。据此回答小题。 小题1:读下图,有关描述太阳活动与昼夜电离层电子浓度的高度分布特征正确的 是( ) A.电离层电子浓度最高值出现的高度,白天高于夜间 B.电离层电子浓度太阳活动高年要大于太阳活动低年 C.100~200 km处高空电...
查看完整题目与答案
高中地理>地球的特殊性——存在生命的行星考试题目
【简答题】当施主能级ED与费米能级EF重合时,电离施主杂质的浓度为未电离施主杂质浓度的_________倍。
查看完整题目与答案
【判断题】费米能级离导带底越近,该半导体的电子浓度越高。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】有2个n-Si样品,甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下,这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】逸出功就是电子从费米能级跃迁至真空能级所吸收的能量。
A.
正确。
B.
错误。
查看完整题目与答案
【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
查看完整题目与答案
【判断题】半导体的掺杂浓度越高,其费米能级的位置也越高
A.
正确
B.
错误
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【单选题】依照费米-狄拉克分布,T=0K时,费米能级以上的量子态( )
A.
被完全占据
B.
被占据的可能为0
C.
被占据的可能为1/2
查看完整题目与答案
【判断题】费米能级是电子占据几率为1/2的量子态所对应的能级。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】一般情况下,P型半导体的费米能级()N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
查看完整题目与答案
能源科学技术>太阳能光伏发电技术考试题目
【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N(E0F)与费密半径k0F的关系.
查看完整题目与答案
【简答题】以电子浓度因素起主导作用而生成的化合物称()。
查看完整题目与答案
【判断题】费米能级在本征半导体中处于禁带中部。( )
A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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A.
1
B.
10
C.
100
D.
1000
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A.
正确
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错误
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A.
导带
B.
价带
C.
禁带
D.
不能确定
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A.
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确。
B.
错误。
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【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】依照费米-狄拉克分布,T=0K时,费米能级以上的量子态( )
A.
被完全占据
B.
被占据的可能为0
C.
被占据的可能为1/2
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】一般情况下,P型半导体的费米能级()N型半导体的能级。
A.
高于
B.
小于
C.
等于
D.
无法确定
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A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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