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【判断题】

重掺杂的多晶硅薄膜作为电容器的极板、浮栅、电极等。

A.
正确
B.
错误
题目标签：电容器多晶硅重掺杂
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参考答案：
举一反三

【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是（）
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
查看完整题目与答案

【判断题】多晶硅薄膜的电阻率比非晶硅和微晶硅薄膜的都要小。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】无限大平行板电容器两个极板中间填充着相对介电常量为1.2的电介质。现将一个极板拉开，使两个极板间距变为原来间距的两倍，则平行板电容器的电容值变为原来的 倍。（结果保留三位有效数字）
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【单选题】电容器上标注104J的J的含义为（）。
A.
±2%
B.
±10%
C.
±5%
D.
±15%
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【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
查看完整题目与答案

【简答题】两个相同的空气电容器，电容都是900uF，分别充电到900V电压后切断电源，若把一个电容器浸入煤油中，（煤油的介电常数εr=2.0），再将两电容并联。 （1）求一电容器浸入煤油过程中能量的损失； （2）求两电容器并联后的电压； （3）求并联过程中能量的损失。 （4）问上述损失的能量到那里去了？
查看完整题目与答案

【单选题】电力电容器在()情况下不应退出运行。
A.
功率因素从 0.99降到0.91
B.
电容器连接点严重过热
C.
电容器瓷绝缘表面闪络放电
D.
电容器外壳明显变形
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【单选题】电容器C1和C2串联后接在直流电路中，已知电容器C1容量是电容器C3的三倍，那么C1两端的电压是C2两端电压的（）。
A.
3倍
B.
1/3
C.
9倍
D.
1/9
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【简答题】（8分）面积S = 0.2m 2、n = 100匝的圆形线圈，处在如图所示的磁场内，磁感应强度随时间t变化的规律是B = 0.02t，R = 3Ω，C = 30μF，线圈电阻r = 1Ω，求： （1）通过R的电流大小和方向 （2）电容器的电荷量。
查看完整题目与答案
高中物理>楞次定律考试题目

【单选题】一个空气平板电容器的板间距为d，极板面积为S，电容为C，两极板之间所加电压为U如果保持所加电源不变，使极板的间距扩大到10d，则电容为()
A.
10C
B.
C/10
C.
/11
D.
C
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【简答题】关于多晶硅内部的排列，下面说法正确的是()。
查看完整题目与答案

【单选题】并联电容器补偿的调压原理是（）
A.
降低线路阻抗
B.
提高功率因数减少通过线路的无功
C.
改变线路有无功潮流
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【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是（）。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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【多选题】电容器的保护动作中，需经检查后方可投入的有（）。
A.
过电压保护动作
B.
过流保护动作
C.
不平衡保护动作
D.
欠压保护动作
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【单选题】、 改良西门子法多晶硅制取不包括的主要工艺（ ）
A.
精馏
B.
提纯
C.
还原
D.
CDI
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【单选题】多电容器（）计算公式为1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn。
A.
串联
B.
并联
C.
混联
D.
均联
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【简答题】“电容器接在直流电源上是没有电流通过的”这句话确切吗？试完整地说明。
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【简答题】电力电容器的结构如何？
查看完整题目与答案

【简答题】版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定
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【单选题】耦合电容器关键点见证包括设备选材、（）制作、器身装配、真空浸渍、总装配等。
A.
电子元件
B.
电容元件
C.
电容芯子
D.
器身
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A.
3倍
B.
1/3
C.
9倍
D.
1/9
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A.
10C
B.
C/10
C.
/11
D.
C
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A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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过流保护动作
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不平衡保护动作
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B.
并联
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混联
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A.
电子元件
B.
电容元件
C.
电容芯子
D.
器身
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