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【简答题】

利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH= ,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关。(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高; (2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式;(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率) (3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反,霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图3所示。a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式; b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想。

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举一反三

【单选题】在半导体材料中,其正确的说法是( )

A.
P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电
B.
N型半导体中由于多数载流子为电子,所以它负正电
C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
以上说法都不正确

【多选题】以下( )是宽禁带半导体材料的电力电子器件的特点。

A.
高的很多的耐受高电压的能力;
B.
低得多的通态电阻;
C.
更差的导热性能和热稳定性;
D.
更强的耐受高温能力。

【单选题】关于半导体材料的电导率说法不正确的是( )

A.
是电阻率的倒数
B.
与半导体材料有关
C.
与迁移率相关
D.
是载流子浓度的函数

【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)

A.
都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
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C.
P型和N型半导体材料本身都不带电。
D.
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低得多的通态电阻;
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更差的导热性能和热稳定性;
D.
更强的耐受高温能力。
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A.
是电阻率的倒数
B.
与半导体材料有关
C.
与迁移率相关
D.
是载流子浓度的函数
【多选题】对常用的半导体材料硅和锗的描述正确的是()。( 1 分)
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都是四价元素
B.
最外层轨道上有四个价电子
C.
它们的晶体是靠共价键作用联系在一起的
D.
它们的晶体是靠离子键作用联系在一起的
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