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【判断题】

采用第二气隙不仅能使换向极漏磁通减少,而且能使在同样磁密下,使换向极饱和程度降低。

A.
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B.
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举一反三

【单选题】下列有关漏磁通的叙述,哪些是正确的()

A.
内部缺陷处的漏磁通,比同样大小的表面缺陷为大
B.
缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
C.
表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D.
用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
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C.
表面缺陷的漏磁通密度,随着离开表面距离的增加而急剧减弱
D.
用有限线圈磁化长的试件,不需进行分段磁化
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