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【简答题】

若设一个硅突变结，其两边杂质浓度分别为NA=1017/cm3，ND=4.5×1015/cm3，求其势垒高度和xD的值。若结上加10V反偏电压时，求xD值。

题目标签：杂质浓度势垒高度突变结
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【简答题】硅突变结二极管的掺杂浓度为：N d =10 15 cm -3 ，N a =4×10 20 cm -3 ．在室温下计算：
查看完整题目与答案

【多选题】下列影响pn结势垒高度的因素包括：
A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
查看完整题目与答案

【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
查看完整题目与答案

【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
查看完整题目与答案

【单选题】三极管的基区薄且杂质浓度( ),发射区杂质浓度( ),集电区面积大且杂质浓度( )。
A.
低；高；高
B.
低；高；低
C.
高；高；低
D.
低；低；高
查看完整题目与答案

【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
查看完整题目与答案

【多选题】单边突变结（one-sided step junction）的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
查看完整题目与答案

【简答题】已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/(V·s)，μp=300cm2/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
查看完整题目与答案

【单选题】考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
查看完整题目与答案

【简答题】空间电荷层、内建电场与势垒高度
查看完整题目与答案

【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
查看完整题目与答案

【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
查看完整题目与答案

【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
查看完整题目与答案

【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
查看完整题目与答案

【简答题】砷化镓中施主杂质浓度为1016cm-3，分别计算T=300K、400K的电阻率和电导率。
查看完整题目与答案

【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
查看完整题目与答案

【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
查看完整题目与答案

【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
查看完整题目与答案
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A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
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【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
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【单选题】当活性污泥或化学污泥等杂质浓度大于（）mg／L时，将出现成区沉降。
A.
200—500
B.
500—1000
C.
750—1000
D.
1000—2000
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【单选题】二次离子质谱确定的是总的杂质浓度。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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【单选题】三极管的基区薄且杂质浓度( ),发射区杂质浓度( ),集电区面积大且杂质浓度( )。
A.
低；高；高
B.
低；高；低
C.
高；高；低
D.
低；低；高
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【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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【多选题】单边突变结（one-sided step junction）的特点是
A.
P区和n区的掺杂浓度是均匀的
B.
P 区和 n 区的掺杂浓度都是不均匀的
C.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度差别不大
D.
P 区和 n 区两边的掺杂浓度有数量级的差别
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【简答题】已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρn=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρp=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μn=100cm2/(V·s)，μp=300cm2/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。
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【单选题】考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
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【简答题】空间电荷层、内建电场与势垒高度
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【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
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【单选题】通常情况下，当氧化物在杂质浓度较低时，其在高温条件下引起的扩散主要是（）。
A.
本征扩散
B.
非本征扩散
C.
互扩散
D.
A+B
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【简答题】硅中受主杂质浓度为1017cm-3，计算在300K下的载流子浓度n0和p0。
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【单选题】当扩散电阻的表面杂质浓度增加时，压阻系数？
A.
增加
B.
减小
C.
不变
D.
不定
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【单选题】离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
A.
能量
B.
剂量
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【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
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