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【简答题】
多晶硅光伏组件一般首年最大衰减率为(),每年衰减率(),全生命周期最大衰减率19.3%。
题目标签:
光伏组件
衰减率
多晶硅
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参考答案:
举一反三
【简答题】光伏组件方阵整体不应有()、错位、()。
查看完整题目与答案
【单选题】直熔法生长的铸造多晶硅的主要特点是()
A.
利用高频感应线圈和辅助线圈加热多晶硅棒
B.
每一炉需要消耗一支坩埚
C.
有种晶、引细颈、放肩过程
查看完整题目与答案
【判断题】多晶硅薄膜的电阻率比非晶硅和微晶硅薄膜的都要小。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】不应在雨中进行光伏组件的连线工作。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具,列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
查看完整题目与答案
【单选题】控制系统的衰减率等于0.1时的过渡过程是( )。
A.
等幅振荡过程
B.
非周期过程
C.
衰减振荡过程
D.
发散振荡过程
查看完整题目与答案
【多选题】光伏组件运行的基本要求有哪些?
A.
光伏组件封装面应完好无损,表面应洁净无污浊
B.
光伏组件引出线及接线盒应完好
C.
使用未经监测的组件
D.
可以随意角度安装的组件
查看完整题目与答案
【单选题】定值控制系统在动态过程中,若使其衰减率自1逐渐减小,说明控制过程()
A.
自发散向无波动变化
B.
自无波动向发散变化
C.
自等幅振荡向无波动变化
D.
自等幅振荡向发散变化
查看完整题目与答案
【单选题】光伏组件发生热斑效应时,应( )。
A.
加强监视
B.
及时更换
C.
退出运行
D.
正常巡检
查看完整题目与答案
【简答题】关于多晶硅内部的排列,下面说法正确的是()。
查看完整题目与答案
【多选题】光伏组件安装作业时,下列说法正确的是()
A.
在屋顶工作,临空一面应装设安全网
B.
在危险边沿工作,临空一面应装设防护栏杆
C.
无法设置安全网或者防护栏杆时,作业人员应使用安全带
D.
根据工作计划进行施工,可不进行防护
E.
工作人员可根据工作需要进出防护栏杆
F.
熟练工人可以不进行特殊防护
查看完整题目与答案
【简答题】光伏组件中,电池片与电池片之间是依靠 _____________ 而相连的 。
查看完整题目与答案
【多选题】光伏组件可分为()三种类型。
A.
晶体硅光伏组件
B.
高倍光伏组件
C.
低倍光伏组件
D.
薄膜光伏组件
E.
聚光光伏组件
查看完整题目与答案
【判断题】系统超调量主要取决于闭环复数主导极点的衰减率,与其它闭环零、极点接近坐标原点的程度无关。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是()。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
查看完整题目与答案
【单选题】在PID温度控制系统中,若系统衰减率偏小,错误的认识是()
A.
积分时间整定值太小
B.
微分时间整定值太大
C.
比例带整定值太小
D.
比例带整定值太大
查看完整题目与答案
【单选题】、 改良西门子法多晶硅制取不包括的主要工艺( )
A.
精馏
B.
提纯
C.
还原
D.
CDI
查看完整题目与答案
【判断题】碳材料具有比模量、比强度高、震动衰减率大
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【简答题】光伏组件的结构包括
查看完整题目与答案
【简答题】版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定
查看完整题目与答案
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
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A.
等幅振荡过程
B.
非周期过程
C.
衰减振荡过程
D.
发散振荡过程
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C.
使用未经监测的组件
D.
可以随意角度安装的组件
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A.
自发散向无波动变化
B.
自无波动向发散变化
C.
自等幅振荡向无波动变化
D.
自等幅振荡向发散变化
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A.
加强监视
B.
及时更换
C.
退出运行
D.
正常巡检
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【多选题】光伏组件安装作业时,下列说法正确的是()
A.
在屋顶工作,临空一面应装设安全网
B.
在危险边沿工作,临空一面应装设防护栏杆
C.
无法设置安全网或者防护栏杆时,作业人员应使用安全带
D.
根据工作计划进行施工,可不进行防护
E.
工作人员可根据工作需要进出防护栏杆
F.
熟练工人可以不进行特殊防护
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A.
晶体硅光伏组件
B.
高倍光伏组件
C.
低倍光伏组件
D.
薄膜光伏组件
E.
聚光光伏组件
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【判断题】系统超调量主要取决于闭环复数主导极点的衰减率,与其它闭环零、极点接近坐标原点的程度无关。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】工业上最常用的多晶硅制备方法是()。A. 三氯氢硅的氢还原法B. 直拉法C. 区熔法D. 沉积法
A.
沉积法
B.
直拉法
C.
区熔法
D.
三氯氢硅的氢还原法
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【单选题】在PID温度控制系统中,若系统衰减率偏小,错误的认识是()
A.
积分时间整定值太小
B.
微分时间整定值太大
C.
比例带整定值太小
D.
比例带整定值太大
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A.
精馏
B.
提纯
C.
还原
D.
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A.
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B.
错误
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【简答题】版图中MOS管的沟道长由多晶硅栅的宽度确定
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