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【简答题】
表面反型沟道中载流子在垂直表面方向上被限制在势阱中运动使能量量子化。在平行表面方向为自由运动,因而形成准二带,求各个子带的状态密度。
题目标签:
准二维
载流子
能量量子
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【单选题】杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
A.
温度
B.
杂质浓度
C.
电子空穴对数
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【简答题】在杂质半导体中,温度变化时,载流子的数目变化吗?少子与多子变化的数目相同吗?少子与多子浓度的变化相同吗?
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【判断题】普朗克关于黑体辐射的能量量子学说是严格推导出来的。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】设粒子在一维无限深方势阱中运动,能量量子数为n.当【图片】时该概率的极限为______
A.
1/16
B.
1/8
C.
1/4
D.
1/2
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【单选题】N 型半导体的多数载流子是电子,因此它应()
A.
不带电
B.
不确定
C.
带负电
D.
带正电
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【单选题】三极管基极的作用是( )载流子。
A.
发射
B.
输送控制
C.
收集
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【简答题】杂质半导体中的多数载流子是怎样形成的?
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【判断题】NPN型的BJT和NMOS器件的载流子均只有1种
A.
正确
B.
错误
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【简答题】为什么普朗克能量量子化概念的提出并不说明量子力学的诞生?
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【简答题】1900年,[填空(1)]提出了能量量子化概念。
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