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【简答题】
在NA=1015cm-3的p型硅<111>衬底上，氧化层厚度为70nm，SiO2层等效电荷面密度为3×1011cm-2，计算MOSFET的阈值电压。
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举一反三
【单选题】555 定时器构成的施密特触发器,当 5 脚接 Vco 时,两个阈值电压分别是 和 。
A.
Vco、1/2Vco
B.
Vcc、1/2Vcc
C.
1/3Vcc、2/3Vcc
D.
Vco、1/3Vco
【单选题】如图 2.19 所示, 一平行板电容器,极板面积为 S , 极板上带自由电荷面密度 ±σ 0 , 间距为 d ,中间以两层厚度各为 d 1 、 d 2 ,介电常数各为 ε 1 , ε 2 的电介质层充满。求 极板间电位差 U
A.
ε 1 / σ 0 d 1 + / ε 2 / σ 0 d 2
B.
d 1 / ε 1 σ 0 +d 2 / ε 2 σ 0
C.
σ 0 / ε 1 d 1 + σ 0 / ε 2 d 2
D.
σ 0 d 1 / ε 1 + σ 0 d 2 / ε 2
【单选题】石膏制品表面密度小、保温绝热性能好、吸声性强、吸水率大以及抗渗性、抗冻性和耐水性差，这体现了建筑石膏技术性质中的( )。
A.
微膨胀性
B.
防水性
C.
凝结硬化快
D.
多孔性
【单选题】根据以下NMOS晶体管模型代码，如果衬底接地，源极电压VS=2V，由于受背栅效应影响，可以计算得到阈值电压约为.MODEL n08 NMOS VTO = 0.70 KP = 110U GAMMA = 0.4 LAMBDA = 0.04+ PHI = 0.7 MJ = 0.5 MJSW = 0.38 CGBO = 700P CGSO = 220P CGDO = 220P+ CJ = 770U CJS...
A.
0.8V
B.
1.0V
C.
1.2V
D.
条件不足，无法判断
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A.
ε 1 / σ 0 d 1 + / ε 2 / σ 0 d 2
B.
d 1 / ε 1 σ 0 +d 2 / ε 2 σ 0
C.
σ 0 / ε 1 d 1 + σ 0 / ε 2 d 2
D.
σ 0 d 1 / ε 1 + σ 0 d 2 / ε 2
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C.
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