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【简答题】

Grove 模型认为控制薄膜淀积速率的两个重要环节是: , 。

题目标签：薄膜淀积淀积重要环节
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参考答案：
举一反三

【简答题】sio2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是
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【简答题】热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物，经过热分解反应，在基片表面淀积二氧化硅。
查看完整题目与答案

【简答题】假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
查看完整题目与答案

【简答题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
查看完整题目与答案

【多选题】在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.
均匀性
B.
表面平整度
C.
自由应力
D.
纯净度
E.
电容
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集成电路制造工艺员>集成电路制造工艺员（三级）考试题目

【简答题】采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
查看完整题目与答案

【单选题】治疗的重要环节是
A.
休息
B.
抬高患肢
C.
应用足量抗生素
D.
局部消炎、止痛
E.
具有传染性，应予以接触隔离
查看完整题目与答案

【单选题】LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：ks>hg，此时淀积速率的特点为（）
A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
查看完整题目与答案

【填空题】二氧化硅的制备方法很多，其中最常用的是高温（）、（）淀积、PECVD淀积。
查看完整题目与答案
半导体芯片制造工>半导体芯片制造高级工考试题目

【单选题】​通过气态物质的化学反应在晶圆表面淀积一层固态薄膜的工艺称为（）。
A.
热氧化
B.
物理气相淀积
C.
等离子淀积
D.
化学气相淀积
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均匀性
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表面平整度
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自由应力
D.
纯净度
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D.
局部消炎、止痛
E.
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A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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D.
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