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【简答题】
沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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举一反三
【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）
A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
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C.
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D.
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