如右图所示MOS管结构,设衬底电压为V B =0,令栅极电压V G 为控制参数。当栅极外加负电压V G 时,MOS系统工作在 区;当栅极加一个小正栅极偏置电压时,MOS系统工作在 区;当栅极加大正栅极偏置电压时,MOS系统工作在 区,这时表面电势和本体费米电势大小 ,极性 。任何栅极电压的增大只会导致表面运动电子浓度的增大,而不是 的增大。