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【单选题】

硒化锑的带隙为（）。

A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
题目标签：带隙
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【判断题】锗是间接能带隙材料。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】si 是直接带隙半导体
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】砷化镓和磷化铟属于间接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】CdTe材料属于直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】下列材料为直接带隙半导体的是?
A.
Si
B.
GaAs
C.
GaN
D.
InP
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【单选题】硒化锑的带隙为（）。
A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
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【单选题】硒化锑的光学带隙为（ ）。
A.
约1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约1.5 eV
D.
约2.0 eV
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【简答题】在Si,Ge,GaAs中,间接带隙半导体是____。
查看完整题目与答案

【简答题】简述什么是直接带隙材料
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【判断题】绝缘体的带隙较大。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙？
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
查看完整题目与答案

【判断题】砷化镓是直接带隙材料
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】硅是间接能带隙材料
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】硅是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】对于 0 , GaAs 的带隙一定比 Al x Ga 1-x As 小。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】下列物质属于直接带隙的有
A.
硅
B.
砷化镓
C.
磷化铟
D.
氮化镓
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【判断题】直接带隙和间接带隙是一样的。。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。
查看完整题目与答案

【判断题】晶体Si是直接带隙半导体。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】绝缘体的带隙比导体宽。
A.
正确
B.
错误
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正确
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正确
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错误
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A.
正确
B.
错误
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A.
正确
B.
错误
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【多选题】下列材料为直接带隙半导体的是?
A.
Si
B.
GaAs
C.
GaN
D.
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【单选题】硒化锑的带隙为（）。
A.
约 1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约 1.5 eV
D.
约 2.0 eV
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【单选题】硒化锑的光学带隙为（ ）。
A.
约1.7 eV
B.
1.0-1.2 eV
C.
约1.5 eV
D.
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【简答题】简述什么是直接带隙材料
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【判断题】绝缘体的带隙较大。
A.
正确
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【单选题】以下哪个图象示意的是直接带隙？
A.
D
B.
C
C.
B
D.
A
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A.
正确
B.
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A.
正确
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A.
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【判断题】对于 0 , GaAs 的带隙一定比 Al x Ga 1-x As 小。
A.
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A.
硅
B.
砷化镓
C.
磷化铟
D.
氮化镓
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A.
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B.
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【简答题】简述直接带隙半导体和间接带隙半导体。
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【判断题】晶体Si是直接带隙半导体。
A.
正确
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【判断题】绝缘体的带隙比导体宽。
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