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【判断题】

离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格,高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除,掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。

A.
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B.
错误
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参考答案:
举一反三

【多选题】离子注入有下面哪种特点:

A.
掺入杂质的浓度可高于该杂质在硅中的固溶度
B.
掺杂可控性好于扩散
C.
工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小

【多选题】某项测验中,绝大部分题目的难度值P较大,那么被试的分数( )。

A.
集中在高分端
B.
平均数小于中数
C.
中数小于众数
D.
分布呈现负偏态
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B.
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工艺方法简单、成本低
D.
与扩散相比离子注入杂质分布横向效应小
【多选题】某项测验中,绝大部分题目的难度值P较大,那么被试的分数( )。
A.
集中在高分端
B.
平均数小于中数
C.
中数小于众数
D.
分布呈现负偏态
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