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【单选题】
SE序列相位重聚是指（）
A.
90°脉冲激励时
B.
90°脉冲激励后
C.
180°脉冲激励时
D.
使离散相位又一致
E.
横向宏观磁化矢量变小
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举一反三
【单选题】设栈与队列初始状态为空。将元素A,B,C,D,E,F,G,H依次轮流入栈和入队,然后依次轮流出栈和退队,则输出序列为
A.
D,C,B,A,E,F,G,H
B.
G,B,E,D,C,F,A,H
C.
A,B,C,D,H,G,F,E
D.
B,G,D,E,F,C,H,A
【单选题】设 n 个元素进栈的序列是 1 , 2 , 3 ,..., n ,其输出序列是 p1 , p2 ,..., pn ,若 p1=3 ,则 p2 的值。
A.
可能是 2
B.
一定是 2
C.
可能是 1
D.
一定是 1
【多选题】随机接入逻辑根序列的产生与那些参数有关？（）
A.
随机接入循环偏移类型RaNcsType
B.
随机接入循环偏移配置NcsPrach
C.
前导格式PreambleFormat
D.
基于竞争的前导序列个数NumRAPreambles
【多选题】关于MRA相位对比法的原理，正确的是
A.
基于流入性增强效应
B.
采用双极梯度场对流动进行编码
C.
两个梯度场的作用刚好完全抵消静止组织质子群的横向磁化矢量
D.
流动的质子群由于位置发生了变化，两个梯度场不能抵消
E.
流动质子群的横向磁化矢量相位变化得到保留，与静止组织形成相位对比
【单选题】语句int*p=&Ak；定义了指针p，与这个语句等效的语句序列是( )。
A.
int*p;p=&k；
B.
int*p;p=k；
C.
int*p;*p=&k；
D.
int*p;*p=k；
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A.
D,C,B,A,E,F,G,H
B.
G,B,E,D,C,F,A,H
C.
A,B,C,D,H,G,F,E
D.
B,G,D,E,F,C,H,A
【单选题】设 n 个元素进栈的序列是 1 , 2 , 3 ,..., n ,其输出序列是 p1 , p2 ,..., pn ,若 p1=3 ,则 p2 的值。
A.
可能是 2
B.
一定是 2
C.
可能是 1
D.
一定是 1
【多选题】随机接入逻辑根序列的产生与那些参数有关？（）
A.
随机接入循环偏移类型RaNcsType
B.
随机接入循环偏移配置NcsPrach
C.
前导格式PreambleFormat
D.
基于竞争的前导序列个数NumRAPreambles
【多选题】关于MRA相位对比法的原理，正确的是
A.
基于流入性增强效应
B.
采用双极梯度场对流动进行编码
C.
两个梯度场的作用刚好完全抵消静止组织质子群的横向磁化矢量
D.
流动的质子群由于位置发生了变化，两个梯度场不能抵消
E.
流动质子群的横向磁化矢量相位变化得到保留，与静止组织形成相位对比
【单选题】语句int*p=&Ak；定义了指针p，与这个语句等效的语句序列是( )。
A.
int*p;p=&k；
B.
int*p;p=k；
C.
int*p;*p=&k；
D.
int*p;*p=k；
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