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【简答题】

杂质在主体晶格中的扩散方式中,为什么填隙杂质比替位杂质扩散快?

题目标签：杂质扩散质扩散替位杂质
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【简答题】图3-10(a)所示为一种测pn结结深xj的方法．在n型半导体的基质硅片表面经杂质扩散而形成p型半导体区．p区与n区的交界面叫pn结，pn结距表面的深度(即p区厚度)xj叫结深．在半导体工艺上需要测定结深，测量的方法是先通过磨角、染色，使p区和n区的分界线清楚地显示出来，然后盖上半反射膜，在它与硅片之间形成尖劈形空气薄膜．用单色光垂直照射时，可以观察到空气薄膜的等厚干涉条纹．数出p区空气薄膜的条纹...
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【简答题】杂质在主体晶格中的扩散方式中,为什么填隙杂质比替位杂质扩散快?
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【多选题】影响硅片扩散后杂质扩散浓度的因素是______。
A.
管内气体中杂质源的浓度
B.
氮气浓度
C.
扩散温度
D.
扩散时间
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【判断题】虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
A.
正确
B.
错误
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电子与通信技术>集成电路工艺原理考试题目

【简答题】把杂质扩散到玻璃中可以增大玻璃的折射率，这就有可能造出一个后度均匀的透镜。已知圆板半径为R，厚度为d,如图所示，求沿半径变化的折射率n (r)，它会使从A点发出的光线传播到B点。假定这是个薄透镜，。
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【简答题】例举并解释硅中固态杂质扩散的三个步骤。
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【判断题】有杂质原子参加的扩散，叫做杂质扩散
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】扩散制结时杂质扩散浓度由表及里逐渐______。
A.
增大
B.
减小
C.
多样
D.
消失
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【判断题】有限源扩散,扩散时间越长,杂质扩散越深。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】[名词解释] 溶质扩散
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管内气体中杂质源的浓度
B.
氮气浓度
C.
扩散温度
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扩散时间
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【判断题】虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】有杂质原子参加的扩散，叫做杂质扩散
A.
正确
B.
错误
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【单选题】扩散制结时杂质扩散浓度由表及里逐渐______。
A.
增大
B.
减小
C.
多样
D.
消失
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【判断题】有限源扩散,扩散时间越长,杂质扩散越深。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】[名词解释] 溶质扩散
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