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【单选题】

非晶硅的禁带宽度是( )

A.
1.1 eV
B.
1.4 eV
C.
1.7 eV
D.
2.1 eV
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举一反三

【单选题】非晶硅平板

A.
直接转换
B.
间接转换
C.
光电转换
D.
电光转换
E.
闪烁晶体

【单选题】单晶硅电池的制造工艺主要流程为()

A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

【单选题】④非晶硅只能做

A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
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A.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜
B.
表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极
C.
表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极
D.
表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极
【单选题】④非晶硅只能做
A.
移位寄存器
B.
图像存储器
C.
图像处理器
D.
控制电路
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