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【判断题】

衬底为 P 型硅片的 MOS 管就是 P 沟道 MOS 管

A.
正确
B.
错误
题目标签：沟道衬底
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参考答案：
举一反三

【单选题】NMOS器件的衬底是（）型半导体。
A.
N型
B.
P型
C.
本征型
D.
耗尽型
查看完整题目与答案

【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
查看完整题目与答案

【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
查看完整题目与答案

【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
查看完整题目与答案
水利部质量检测员考试>灌排工程工考试题目

【判断题】排水沟道的主要任务是水产养殖
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
查看完整题目与答案

【单选题】道路交通标志的衬底色不会是（）。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
查看完整题目与答案

【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
B.
错误
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A.
N型
B.
P型
C.
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【单选题】VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【多选题】N沟道推挽驱动器()
A.
需要二个N沟道器件
B.
实现正负电压驱动
C.
控制较简单
D.
需要一个电平转换器
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【单选题】排水沟道的主要任务是（）
A.
排除地面余水和降低地下水位
B.
滞蓄涝水
C.
引水灌溉和交通运输
D.
水产养殖
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A.
正确
B.
错误
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【多选题】生产厂房内外工作场所的（ ）或沟道必须覆以与地面齐平的坚固的盖板。
A.
井
B.
坑
C.
孔
D.
洞
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【单选题】道路交通标志的衬底色不会是（）。
A.
绿色
B.
紫色
C.
白色
D.
蓝色
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【单选题】下列不属于水土保持工程措施沟道工程的是（）。
A.
沟头防护工程
B.
谷坊
C.
涝池
D.
淤地坝
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【单选题】气相外延制备n+/p-Si时,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的()
A.
自掺杂效应
B.
互扩散效应
C.
衬底表面没清洗干净的缘故
D.
掺杂气体不纯
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【判断题】NMOS是在N阱上形成P沟道的MOSFET晶体管。
A.
正确
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