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【判断题】
表面杂质浓度低时，随温度升高，压阻系数下降较快。
A.
正确
B.
错误
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举一反三
【单选题】温度升高 100K ,下列反应的 D S ( )。 NH 3 (g) + 3Cl 2 (g) = N 2 (g) + 6HCl (g) △H θ 298 = - 461.5 kJ / mol
A.
>> △S θ 298
B.
<θ 298
C.
≈ △S θ 298
D.
≡△S θ 298
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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A.
>> △S θ 298
B.
<θ 298
C.
≈ △S θ 298
D.
≡△S θ 298
【单选题】相同施主杂质浓度( N D =1x10 16 cm -3 )的半导体硅和锗,室温时 _________ 。
A.
硅中的电子浓度远大于锗
B.
硅中的电子浓度远小于锗
C.
硅中的空穴浓度远大于锗
D.
硅中的空穴浓度远小于锗
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