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【多选题】

下图为N沟道绝缘栅型场效应管的结构示意图,下列关于它的描述正确的是( )。

A.
栅极g与源极s,栅极g与漏极d,都由二氧化硅隔离绝缘的,故称为绝缘删型场效应管。
B.
通常将衬底b与源极g连接在一起使用。
C.
在栅极g与源极s之间加删源电压UGS时,栅极g和衬底b各相当于一个电容极板,中间是二氧化硅绝缘层,于是,栅极g和源极s之间有了电场效应。
D.
栅极g与源极s之间加上适当的电压UGS时,会在P型衬底中形成连接漏极与源极之间的、受UGS控制的N型导电沟道。从而能实现栅源电压UGS控制漏极电流ID的放大作用。
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参考答案:
举一反三

【多选题】场效应管的类型有()。

A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管

【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。

A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压

【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。

A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压

【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____

A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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A.
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B.
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C.
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D.
耗尽型 PMOS
【多选题】场效应管的类型有()。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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