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【多选题】
下图为N沟道绝缘栅型场效应管的结构示意图,下列关于它的描述正确的是( )。
A.
栅极g与源极s,栅极g与漏极d,都由二氧化硅隔离绝缘的,故称为绝缘删型场效应管。
B.
通常将衬底b与源极g连接在一起使用。
C.
在栅极g与源极s之间加删源电压UGS时,栅极g和衬底b各相当于一个电容极板,中间是二氧化硅绝缘层,于是,栅极g和源极s之间有了电场效应。
D.
栅极g与源极s之间加上适当的电压UGS时,会在P型衬底中形成连接漏极与源极之间的、受UGS控制的N型导电沟道。从而能实现栅源电压UGS控制漏极电流ID的放大作用。
题目标签:
场效应管
绝缘栅
结构示意图
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参考答案:
举一反三
【多选题】UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 ( ) 。
A.
增强型 NMOS
B.
增强型 PMOS
C.
耗尽型 NMOS
D.
耗尽型 PMOS
查看完整题目与答案
【判断题】两只场效应管不能直接组成复合管。( )
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【多选题】场效应管的类型有()。
A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
E.
N沟道耗尽型MOS管
F.
P沟道耗尽型MOS管
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市话测量员>高级市话测量员考试题目
【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】绝缘栅型场效应管的输入电流()。
A.
较大
B.
较小
C.
为零
D.
无法判断
查看完整题目与答案
【简答题】在场效应管直流电路模型中,绝缘栅场效应管工作在饱和区时的电流表达式是(),工作在非饱和区时的电流表达式是();结型场效应管工作在饱和区时的电流表达式是(),工作在非饱和区时的电流表达式是()。【图片】
查看完整题目与答案
【单选题】当场效应管的漏极直流Id从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
A.
增大
B.
减小
C.
不变
D.
无关
查看完整题目与答案
【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
查看完整题目与答案
【简答题】化学科学需要借助化学专用语言来描述,下列有关化学用语正确的是 A.N2电子式 B.Cl原子的结构示意图为 C.CO2的结构式为:O=C=O D.质量数为37的氯原子为Cl
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高中化学>质量守恒定律考试题目
【单选题】下图为电磁式电流继电器的结构示意图,图中()可以用来调节反作用力的大小,改变继电器的动作参数。
A.
双金属片
B.
反作用调节螺母
C.
触点弹簧
D.
制动螺钉
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【单选题】要使绝缘栅双极晶体管导通,应()。
A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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【单选题】VGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管是
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】N 沟道和 P 沟道场效应管的区别在于 ____
A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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【简答题】(14分)短周期元素A、B、C、D中,0.5mol A元素的离子得到6.02×10 23个电子被还原为中性原子,0.4g A的氧化物恰好与100ml 0.2mol/L的盐酸完全反应,A原子核内质子数目与中子数目相等,B元素原子核外M层电子数目比K层多1个,C ―比A元素的离子多1个电子层,D元素的原子核外L层比K层多2个电子。 (1)A、B、C、D四种元素的名称分别是 、 、 、 。 (2...
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高中化学>构成物质的粒子—分子、原子、离子考试题目
【单选题】必须加栅极电压,漏极和源极才能导电的场效应管称为()
A.
增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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【简答题】当场效应管的漏极直流电源ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将()。
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【判断题】绝缘栅双极晶体管内部分四层结构。
A.
正确
B.
错误
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【多选题】栅源极间电压为0时,能够工作于恒流区的场效应管有
A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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【单选题】绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表()。
A.
集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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危货押运员>城轨检修师考试考试题目
【判断题】绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。
A.
正确
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A.
结型场效应管
B.
绝缘栅型场效应管
C.
N沟道增强型MOS管
D.
P沟道增强型MOS管
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N沟道耗尽型MOS管
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A.
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A.
在栅极加正电压
B.
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在栅极加负电压
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C.
触点弹簧
D.
制动螺钉
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A.
在栅极加正电压
B.
在集电极加正电压
C.
在栅极加负电压
D.
在集电极加负电压
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A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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A.
衬底材料前者为硅,后者为锗
B.
衬底材料前者为 N 型,后者为 P 型
C.
导电沟道中载流子前者为电子,后者为空穴
D.
衬底材料前者为 P 型,后者为 N 型
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增强型场效应管
B.
耗尽型场效应管
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A.
正确
B.
错误
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A.
结型管
B.
增强型MOS管
C.
耗尽型MOS管
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集电极
B.
栅极
C.
发射极
D.
门极
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A.
正确
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