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【判断题】

LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。

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【单选题】LPCVD-SiO2,将工艺控制在较高温度,有:ks>hg,此时淀积速率的特点为()

A.
反应剂气体浓度的变化对淀积速率的影响不大
B.
温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
淀积速率受气相质量输运控制
D.
淀积速率受表面化学反应控制
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温度的较小变化都会对淀积速率有较大影响
C.
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D.
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