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【简答题】
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
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举一反三
【单选题】对均匀半导体施加均匀电场,并在表面光注入非平衡载流子,此时半导体中的载流子运动不包括:
A.
非平衡载载流子（电子和空穴）的扩散运动
B.
平衡载载流子（电子和空穴）的漂移运动
C.
非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
D.
平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动
【多选题】半导体对不同波长光的吸收包括()和晶格吸收等,主要由本征吸收产生额外的光生非平衡载流子,最终实现太阳能发电功能。
A.
）本征吸收
B.
）杂质吸收
C.
）激子吸收
D.
）载流子吸收
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2
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平衡载载流子（电子和空穴）的漂移运动
C.
非平衡载流子（电子和空穴）的漂移运动
D.
平衡载流子（电子和空穴）的扩散运动
【多选题】半导体对不同波长光的吸收包括()和晶格吸收等,主要由本征吸收产生额外的光生非平衡载流子,最终实现太阳能发电功能。
A.
）本征吸收
B.
）杂质吸收
C.
）激子吸收
D.
）载流子吸收
【单选题】光照前半导体硅的电子浓度为 1.5x10 14 cm -3 ,空穴浓度1.5x10 6 cm -3 ,光照产生的非平衡载流子浓度为1.5x10 10 cm -3 ,则电子和空穴准费米能级的差为:
A.
0.12eV
B.
0.24eV
C.
0.36eV
D.
0.48eV
【多选题】关于非平衡载流子的说法，正确的有：
A.
一般情况，注入的非平衡载流子浓度比平衡的多数载流子浓度小很多。
B.
小注入的情况下，非平衡少子的浓度还是可以比平衡少数载流子浓度大很多。
C.
非平衡少数载流子起重要作用。
D.
非平衡多数载流子起重要作用。
【单选题】一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
A.
1/4；
B.
1/e；
C.
1/e2；
D.
1/2
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