【简答题】
砷化镓(GaAs)属于第三代半导体,用它制造的灯泡寿命是普通灯泡的100倍,而耗能只有其10%。推广砷化镓等发光二极管(LED)照明,是节能减排的有效举措。砷化镓的晶胞结构如下图。 试回答: (1)As的核外电子排布式为_____________。 (2)砷化镓晶胞中所包含的Ga原子个数为_____________。 (3)下列说法正确的是__________(填字母)。 A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B.第一电离能:As> Ca C.电负性:As> Ga D.砷化镓晶体中含有配位键 E.半导体GaP与CaAs互为等电子体 (4)砷化镓是将(CH 3 ) 3 Ga和AsH 3 用MOCVD方法在700℃ 时制备得到。AsH 3 的空间形状为____,(CH 3 ) 3 Ga中镓原子的杂化方式为_____________。 (5) AsH 3 沸点比NH 3 低,其主要原因是__________________
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