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【多选题】

考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()

A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
E.
变宽
F.
变窄
题目标签：势垒高度镜像力金属半导体
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参考答案：
举一反三

【多选题】下列影响pn结势垒高度的因素包括：
A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
查看完整题目与答案

【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】肖特基二极管是利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管，不存在电荷存储效应。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【判断题】扫描隧道显微镜可以直接用来观察金属、半导体和非金属样品。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
查看完整题目与答案

【单选题】金属半导体肖特基结是异质结。​
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
查看完整题目与答案

【简答题】证明镜像力使肖特基势垒高度降低 式中 ．
查看完整题目与答案

【单选题】考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
查看完整题目与答案

【简答题】空间电荷层、内建电场与势垒高度
查看完整题目与答案

【简答题】[名词解释] 金属-半导体功函数差
查看完整题目与答案
物理学>半导体材料考试题目

【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
查看完整题目与答案

【简答题】界面态对肖特基势垒高度有什么影响?
查看完整题目与答案

【单选题】加正向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
查看完整题目与答案

【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
查看完整题目与答案

【单选题】金属半导体肖特基结不是异质结。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】金属－半导体功函数差
查看完整题目与答案

【判断题】镜像力修正的是界面附近的肖特基势垒,但不影响原始势垒的耗尽区宽度。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案

【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
查看完整题目与答案

【判断题】镜像力和隧道效应均引起势垒高度的降低，使正向电流增加。
A.
正确
B.
错误
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相关题目：
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A.
pn结两边的掺杂浓度。
B.
温度。
C.
pn结材料的禁带宽度。
D.
正向偏压的大小。
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【判断题】pn结的正向偏压可降低pn结的势垒高度
A.
正确
B.
错误
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【判断题】肖特基二极管是利用金属-半导体整流接触特性制成的二极管，不存在电荷存储效应。
A.
正确
B.
错误
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【判断题】扫描隧道显微镜可以直接用来观察金属、半导体和非金属样品。
A.
正确
B.
错误
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【单选题】金属半导体肖特基结是异质结。​
A.
正确
B.
错误
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【单选题】对于Ge pn结，已知Na=1E17 cm-3，Nd=1E15 cm-3。则內建势垒高度为（）eV
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.5
D.
0.7
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【简答题】证明镜像力使肖特基势垒高度降低 式中 ．
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【单选题】考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将()
A.
降低
B.
不变
C.
升高
D.
无法判断
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【简答题】[名词解释] 金属-半导体功函数差
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【单选题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
A.
0.1
B.
0.3
C.
0.6
D.
0.9
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【单选题】加正向偏压于 pn 结,势垒高度将( )。
A.
升高
B.
下降
C.
不变
D.
不确定
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【单选题】下列势垒中(a为势垒宽度，U0为势垒高度)，隧道效应最明显的是()
A.
a=1nm，U0=3eV
B.
a=20，U0=104cm-1
C.
a=10bohr，U0=104cm-1
D.
a=0.03μm，U0=5eV
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【单选题】金属半导体肖特基结不是异质结。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】金属－半导体功函数差
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【判断题】镜像力修正的是界面附近的肖特基势垒,但不影响原始势垒的耗尽区宽度。
A.
正确
B.
错误
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【简答题】典型实际金半接触（n-Si）的势垒高度约为（）eV。
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【判断题】镜像力和隧道效应均引起势垒高度的降低，使正向电流增加。
A.
正确
B.
错误
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