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【多选题】

这是p型半导体中非平衡少子电子的连续性方程。得出这个方程,需要满足下列哪些条件。

A.
非均匀掺杂半导体
B.
均匀掺杂半导体
C.
小注入条件
D.
热平衡时,半导体中空穴密度远大于电子密度
E.
非简并半导体
F.
电子的平均漂移速度与电场强度成正比
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参考答案:
举一反三

【单选题】在P型半导体中_______。

A.
只有自由电子一种载流子
B.
只有多数载流子自由电子和少数载流子空穴
C.
只有空穴一种载流子
D.
只有多数载流子空穴和少数载流子自由电子

【单选题】连续性方程体现了

A.
能量守恒
B.
质量守恒
C.
动量守恒
D.
流量守恒

【单选题】P型半导体靠()导电

A.
正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子

【多选题】下列材料属于N型半导体的是()。

A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)

【单选题】不可压缩流体的性质为(),其直角坐标系下连续性方程可以表示为()。( )。

A.
压力为常数,速度的散度为0
B.
密度为常数,速度的旋度为0
C.
密度为常数,速度的散度为0
D.
压力为常数,速度的旋度为0

【单选题】P型半导体的多子是

A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子

【单选题】连续性方程的适用条件是()

A.
理想流体
B.
恒定流体
C.
不可压缩流体
D.
所有流体
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能量守恒
B.
质量守恒
C.
动量守恒
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正电荷
B.
负电荷
C.
空穴
D.
自由电子
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A.
硅中掺有Ⅲ族元素杂质硼(B)、砷(As)
B.
砷化镓中掺有元素杂质锌、镉、镁
C.
磷化铟中掺有杂质锌(Zn)、镉(Cd)
【单选题】不可压缩流体的性质为(),其直角坐标系下连续性方程可以表示为()。( )。
A.
压力为常数,速度的散度为0
B.
密度为常数,速度的旋度为0
C.
密度为常数,速度的散度为0
D.
压力为常数,速度的旋度为0
【单选题】P型半导体的多子是
A.
自由电子
B.
空穴
C.
带正电离子
D.
带负电离子
【单选题】连续性方程的适用条件是()
A.
理想流体
B.
恒定流体
C.
不可压缩流体
D.
所有流体
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