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【判断题】
GCA假设由于没有考虑到靠近漏侧的能带弯曲引起的耗尽层延展,因此高估了靠近漏侧的反型层电子浓度。
A.
正确
B.
错误
题目标签:
反型层
电子浓度
耗尽层
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参考答案:
举一反三
【简答题】掺砷的硅片是N型半导体,这种半导体中的电子浓度是2x10^21个m,电阻率是1.6x10^-2Ω·m。用这种硅做成霍尔探头以测量磁场,硅片的尺寸相当小,是axbxc=0.5cmx0.2cmx0.005cm。将此片长度的两端接入电压为1V的电路中。当探头放到磁场某处并使其最大表面与磁场某方向垂直时,测得0.2cm究度两侧的霍尔电压是1.05mV。求磁场中该处的磁感应强度。
查看完整题目与答案
【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
查看完整题目与答案
【单选题】在N型半导体中,自由电子浓度比空穴浓度( )
A.
低
B.
相等
C.
不确定
D.
高
查看完整题目与答案
【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
A.
大于,变宽
B.
小于,变窄
C.
大于,变窄
D.
小于,变宽
查看完整题目与答案
【判断题】对于实际 的 MOSFET ,在 亚阈值区,反型层和漏源电流均不存在。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【判断题】有2个n-Si样品,甲的施主浓度高于乙的施主浓度。室温下,这2个n-Si样品些样品的电子浓度由高到低的顺序是甲乙 。
A.
正确
B.
错误
查看完整题目与答案
【单选题】金属中的电子浓度很高,因此当温度升高时( )。
A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
查看完整题目与答案
【简答题】[名词解释] 耗尽层宽度W
查看完整题目与答案
电子与通信技术>微电子学考试题目
【简答题】求出绝对零度时费密能E0F、电子浓度n、能态密度及电子比热N(E0F)与费密半径k0F的关系.
查看完整题目与答案
【单选题】PN结正偏时,耗尽层( ),扩散电流( )漂移电流。
A.
变宽;大于
B.
变宽;小于
C.
变窄;小于
D.
变窄;大于
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【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层 E 。
A.
变宽
B.
变窄
C.
不变
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A.
低
B.
相等
C.
不确定
D.
高
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【单选题】当PN结外加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。
A.
大于,变宽
B.
小于,变窄
C.
大于,变窄
D.
小于,变宽
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A.
正确
B.
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A.
正确
B.
错误
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A.
电子浓度增加,导电能力增强
B.
电子浓度不变,导电能力不变
C.
电子之间的碰撞加剧,导电能力增强
D.
电子之间的碰撞加剧,导电能力减弱
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【单选题】PN结正偏时,耗尽层( ),扩散电流( )漂移电流。
A.
变宽;大于
B.
变宽;小于
C.
变窄;小于
D.
变窄;大于
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